| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-01-29 11:45 GaN-HEMTを用いたモバイル機器用POLの検討 ○齊藤 篤・宮野匠平・安部征哉・松本 聡（九工大）  EE2017-47 |
|
| 抄録 | （和） | 近年、電気機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化に対してはスイッチング周波数の高周波化が有効である。本論文では、先行研究で試作したGaN-HEMT用Siゲートドライバを用いたPOLの課題が、ドライバの出力端子とGaN-HEMTのゲート端子間の配線長が長いことと外付け部品を用いたデッドタイム生成回路であることを明らかにするとともに、課題に対する対策を提案する。課題に対して対策を施した結果、リチウムイオン電池を入力とするPOLの効率は10MHzで90%以上、また30MHzでは80%以上であった。 |
| （英） | Recently, miniaturization of power supply is required along with miniaturization and high performance of electric and communication equipment. High frequency switching is effective for miniaturization of the power supply. This paper clarifies that the problems of the fabricated prototype synchronous back converter using GaN-HEMT and the fabricated Si based driver IC are long wire bonding and dead time generator using external capacitor. In addition, we propose strategies for solving the problems. As a result, efficiency of POL at 10 MHz and 30MHz were more than 90 % and 80 %, respectively when Li-ion battery is used as a power source. | |
| キーワード | （和） | GaN / ゲートドライバ / 高周波スイッチング / / / / / |
| （英） | GaN / Gate Driver / High frequency Switchng / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 424, EE2017-47, pp. 29-34, 2018年1月. | |
| 資料番号 | EE2017-47 | |
| 発行日 | 2018-01-22 (EE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2017-47 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
| 開催期間 | 2018-01-29 - 2018-01-30 |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスおおいた (大分市) |
| 開催地（英） | Satellite Campus Oita |
| テーマ（和） | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2018-01-EE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN-HEMTを用いたモバイル機器用POLの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of a POL for mobile equipment using GaN-HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートドライバ / Gate Driver |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波スイッチング / High frequency Switchng |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 篤 / Atsushi Saito / |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 匠平 / Syohei Miyano / ミヤノ ショウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安部 征哉 / Seiya Abe / アベ セイヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 聡 / Satoshi Matumoto / マツモト サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州工業大学 (略称： 九工大) Kyushu Institute of Technology (略称： KIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-01-29 11:45:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2017-47 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.424 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-01-22 (EE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]