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講演抄録/キーワード
講演名 2018-01-30 14:00
[招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-94
抄録 (和) 本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-MONOSアレイでは,十分に広いウィンドウを持った書き消し動作が可能である.平面型デバイスと比較して,FinFET SG-MONOSはリテンション後も狭い閾値電圧分布を持つ.Fin構造によりコントロールゲート,メモリゲートともにスケーリング可能となる.また,スケーリングによる書き消し後の電荷ミスマッチの減少によりリテンション特性が改善する. 
(英) Reliability and scalability of split-gate metal-oxide nitride oxide silicon (SG-MONOS) are discussed for 16/14nm-node embedded Flash in FinFET-era. FinFET SG-MONOS array is successfully operated with wide enough program/erase window. The Vth distribution of FinFET SG-MONOS array is kept tighter than planar even after retention. It is also demonstrated that Fin structure enables scaling of the control gate and the memory gate, which leads to the improvement of retention characteristics due to reduction of the mismatch of trapped carrier distribution during program/erase operation.
キーワード (和) 混載フラッシュメモリ / スプリットゲートセル / MONOS / FinFET / / / /  
(英) embedded Flash memory / split gate cell / MONOS / FinFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 427, SDM2017-94, pp. 13-16, 2018年1月.
資料番号 SDM2017-94 
発行日 2018-01-23 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2017-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-94

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-01-30 - 2018-01-30 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Reliability and Scalability of FinFET Split-Gate MONOS Array with Tight Vth Distribution for 16/14nm-node Embedded Flash 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 混載フラッシュメモリ / embedded Flash memory  
キーワード(2)(和/英) スプリットゲートセル / split gate cell  
キーワード(3)(和/英) MONOS / MONOS  
キーワード(4)(和/英) FinFET / FinFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 是文 / Shibun Tsuda / ツダ シブン
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 斉藤 朋也 / Tomoya Saito / サイトウ トモヤ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長瀬 寛和 / Hirokazu Nagase / ナガセ ヒロカズ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 川嶋 祥之 / Yoshiyuki Kawashima / カワシマ ヨシユキ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉冨 敦司 / Atsushi Yoshitomi / ヨシトミ アツシ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡西 忍 / Shinobu Okanishi / オカニシ シノブ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 倫弘 / Tomohiro Hayashi / ハヤシ トモヒロ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 卓也 / Takuya Maruyama / マルヤマ タクヤ
第8著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 真雄 / Masao Inoue / イノウエ マサオ
第9著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 村中 誠志 / Seiji Muranaka / ムラナカ セイジ
第10著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 茂樹 / Shigeki Kato / カトウ シゲキ
第11著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 萩原 琢也 / Takuya Hagiwara / ハギワラ タクヤ
第12著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 博和 / Hirokazu Saito / サイトウ ヒロカズ
第13著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 直 / Tadashi Yamaguchi / ヤマグチ タダシ
第14著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 門島 勝 / Masaru Kadoshima / カドシマ マサル
第15著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 隆弘 / Takahiro Maruyama / マルヤマ タカヒロ
第16著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) 三原 竜善 / Tatsuyoshi Mihara / ミハラ タツヨシ
第17著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳田 博史 / Hiroshi Yanagita / ヤナギタ ヒロシ
第18著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda / ソノダ ケンイチロウ
第19著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ
第20著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス (略称: ルネサス エレクトロニクス)
renesas electronics (略称: renesas)
講演者 第1著者 
発表日時 2018-01-30 14:00:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2017-94 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.427 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2018-01-23 (SDM) 


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