講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-01-30 14:00
[招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス) SDM2017-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2017-94 |
抄録 |
(和) |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-MONOSアレイでは,十分に広いウィンドウを持った書き消し動作が可能である.平面型デバイスと比較して,FinFET SG-MONOSはリテンション後も狭い閾値電圧分布を持つ.Fin構造によりコントロールゲート,メモリゲートともにスケーリング可能となる.また,スケーリングによる書き消し後の電荷ミスマッチの減少によりリテンション特性が改善する. |
(英) |
Reliability and scalability of split-gate metal-oxide nitride oxide silicon (SG-MONOS) are discussed for 16/14nm-node embedded Flash in FinFET-era. FinFET SG-MONOS array is successfully operated with wide enough program/erase window. The Vth distribution of FinFET SG-MONOS array is kept tighter than planar even after retention. It is also demonstrated that Fin structure enables scaling of the control gate and the memory gate, which leads to the improvement of retention characteristics due to reduction of the mismatch of trapped carrier distribution during program/erase operation. |
キーワード |
(和) |
混載フラッシュメモリ / スプリットゲートセル / MONOS / FinFET / / / / |
(英) |
embedded Flash memory / split gate cell / MONOS / FinFET / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 427, SDM2017-94, pp. 13-16, 2018年1月. |
資料番号 |
SDM2017-94 |
発行日 |
2018-01-23 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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