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講演抄録/キーワード
講演名 2018-02-23 10:35
[特別招待講演]Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用
石川靖彦豊橋技科大LQE2017-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-152
抄録 (和) Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域(1.3–1.6 µm)の受光素子への応用について紹介する。SiとGeには約4%の格子不整合があり臨界膜厚も数nmと小さいが、低温Ge緩衝層と成長後熱処理を利用することで、平坦かつ高品質なGeエピタキシャル層をSi上へ直接成長できる。このようなGe層を用いたシリコンフォトニクス用受光素子の特性について述べる。格子ひずみ制御による受光波長域の制御や電界吸収型光変調器、発光素子への展開も紹介する。 
(英) Epitaxial growth of Ge layers on Si and applications to photodetectors (PDs) in the optical communication wavelength range (1.3–1.6 µm) are described. In spite of the critical layer thickness of Ge on Si as small as a few nm due to the large lattice mismatch of 4%, high-quality epitaxial layers of Ge with an atomically flat surface are directly grown on Si, using a low-temperature buffer layer technique and a post-growth annealing process. Characteristics for PDs of Ge layers on Si are presented. Strain-engineered PDs for the detection wavelength control and applications to electro-absorption optical modulators as well as light emitters are also introduced.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / エピタキシャル成長 / 受光素子 / / / /  
(英) Silicon Photonics / Germanium / Epitaxial Growth / Photodetectors / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 117, no. 448, LQE2017-152, pp. 7-10, 2018年2月.
資料番号 LQE2017-152 
発行日 2018-02-16 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2017-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-152

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2018-02-23 - 2018-02-23 
開催地(和) 古河電工横浜事業所 
開催地(英)  
テーマ(和) 受光素子全般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2018-02-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial Growth of Ge on Si and Photodetector Applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon Photonics  
キーワード(2)(和/英) ゲルマニウム / Germanium  
キーワード(3)(和/英) エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth  
キーワード(4)(和/英) 受光素子 / Photodetectors  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ
第1著者 所属(和/英) 豊橋科学技術大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-02-23 10:35:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2017-152 
巻番号(vol) vol.117 
号番号(no) no.448 
ページ範囲 pp.7-10 
ページ数
発行日 2018-02-16 (LQE) 


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