講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-02-23 10:35
[特別招待講演]Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用 ○石川靖彦(豊橋技科大) LQE2017-152 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2017-152 |
抄録 |
(和) |
Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域(1.3–1.6 µm)の受光素子への応用について紹介する。SiとGeには約4%の格子不整合があり臨界膜厚も数nmと小さいが、低温Ge緩衝層と成長後熱処理を利用することで、平坦かつ高品質なGeエピタキシャル層をSi上へ直接成長できる。このようなGe層を用いたシリコンフォトニクス用受光素子の特性について述べる。格子ひずみ制御による受光波長域の制御や電界吸収型光変調器、発光素子への展開も紹介する。 |
(英) |
Epitaxial growth of Ge layers on Si and applications to photodetectors (PDs) in the optical communication wavelength range (1.3–1.6 µm) are described. In spite of the critical layer thickness of Ge on Si as small as a few nm due to the large lattice mismatch of 4%, high-quality epitaxial layers of Ge with an atomically flat surface are directly grown on Si, using a low-temperature buffer layer technique and a post-growth annealing process. Characteristics for PDs of Ge layers on Si are presented. Strain-engineered PDs for the detection wavelength control and applications to electro-absorption optical modulators as well as light emitters are also introduced. |
キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / エピタキシャル成長 / 受光素子 / / / / |
(英) |
Silicon Photonics / Germanium / Epitaxial Growth / Photodetectors / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 117, no. 448, LQE2017-152, pp. 7-10, 2018年2月. |
資料番号 |
LQE2017-152 |
発行日 |
2018-02-16 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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