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| 講演名 | 2018-03-08 13:50 ［招待講演］Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 ○原 直紀・高橋 剛・川野陽一・中舍安宏（富士通/富士通研）  EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
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| 抄録 | （和） | Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なトランジスタの材料として用いられてきた。本稿ではⅢ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの研究開発の現状と今後の展望をまとめる。 |
| （英） | III-V Compound Semiconductors have superior properties, such as high electron mobility and high breakdown voltage, compared with Si, and suitable for high frequency applications. Present status and prospect of III-V RF devices are discussed. | |
| キーワード | （和） | Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / 高周波デバイス / / / / / / |
| （英） | III-V Compound Semiconductor Devices / RF Devices / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 117, no. 496, ED2017-118, pp. 9-10, 2018年3月. | |
| 資料番号 | ED2017-118 | |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
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| PDFダウンロード | EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED EID SDM ICD MRIS QIT SCE |
| 開催期間 | 2018-03-08 - 2018-03-08 |
| 開催地（和） | 東レ総合研修センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 回路デバイス境界技術領域合同研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-03-CPM-ED-EID-SDM-ICD-MRIS-QIT-SCE-OME-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Present status and prospect of III-V RF devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体 / III-V Compound Semiconductor Devices |
| キーワード(2)（和/英） | 高周波デバイス / RF Devices |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称： Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称： Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川野 陽一 / Yoichi Kawano / カワノ ヨウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称： Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通/富士通研究所 (略称： 富士通/富士通研) Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称： Fujitsu/Fujitsu Labs.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-03-08 13:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | EMD2017-73, MR2017-44, SCE2017-44, EID2017-46, ED2017-118, CPM2017-138, SDM2017-118, ICD2017-123, OME2017-67 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | no.492(EMD), no.493(MR), no.494(SCE), no.495(EID), no.496(ED), no.497(CPM), no.498(SDM), no.499(ICD), no.500(OME) |
| ページ範囲 | pp.9-10 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2018-03-01 (EMD, MR, SCE, EID, ED, CPM, SDM, ICD, OME) |
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