講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-05-24 13:55
Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions ○mansoureh keikhaei・Masaya Ichimura(NIT) ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 |
抄録 |
(和) |
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high temperatures (10?C and 60?C) using the cathodic electrochemical deposition method. The effects of the deposition current densities are studied in a range including current densities high enough to electrolyze water and generate hydrogen bubbles. The influences of deposition variables on film composition, structural, morphological and optical properties are investigated. Auger electron spectroscopy results show fabrication of both Cu2O and CuO, which is consistent with the results of Raman spectroscopy. X-ray diffraction patterns show (111) and (220) peaks related to Cu2O for the samples deposited at 60?C, whereas the samples deposited at the low temperature are almost amorphous. |
(英) |
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high temperatures (10?C and 60?C) using the cathodic electrochemical deposition method. The effects of the deposition current densities are studied in a range including current densities high enough to electrolyze water and generate hydrogen bubbles. The influences of deposition variables on film composition, structural, morphological and optical properties are investigated. Auger electron spectroscopy results show fabrication of both Cu2O and CuO, which is consistent with the results of Raman spectroscopy. X-ray diffraction patterns show (111) and (220) peaks related to Cu2O for the samples deposited at 60?C, whereas the samples deposited at the low temperature are almost amorphous. |
キーワード |
(和) |
electrochemical deposition, / copper oxide / thin films / water electrolysis / / / / |
(英) |
electrochemical deposition, / copper oxide / thin films / water electrolysis / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 58, ED2018-15, pp. 5-10, 2018年5月. |
資料番号 |
ED2018-15 |
発行日 |
2018-05-17 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10 |
研究会情報 |
研究会 |
ED CPM SDM |
開催期間 |
2018-05-24 - 2018-05-24 |
開催地(和) |
豊橋技科大VBL |
開催地(英) |
Toyohashi Univ. of Tech. (VBL) |
テーマ(和) |
結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
テーマ(英) |
Crystal growth, characterization, and devices (compound semiconductors, Si, SiGe, opto-electrical materials), and others |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2018-05-ED-CPM-SDM |
本文の言語 |
英語 |
タイトル(和) |
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サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
electrochemical deposition, / electrochemical deposition, |
キーワード(2)(和/英) |
copper oxide / copper oxide |
キーワード(3)(和/英) |
thin films / thin films |
キーワード(4)(和/英) |
water electrolysis / water electrolysis |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
mansoureh keikhaei / mansoureh keikhaei / |
第1著者 所属(和/英) |
Nagoya institute of technology (略称: 日本工大)
Nagoya institute of technology (略称: NIT) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
Masaya Ichimura / Masaya Ichimura / |
第2著者 所属(和/英) |
Nagoya institute of technology (略称: 日本工大)
Nagoya institute of technology (略称: NIT) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2018-05-24 13:55:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2018-15, CPM2018-2, SDM2018-10 |
巻番号(vol) |
vol.118 |
号番号(no) |
no.58(ED), no.59(CPM), no.60(SDM) |
ページ範囲 |
pp.5-10 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2018-05-17 (ED, CPM, SDM) |
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