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| 講演名 | 2018-06-25 15:15 リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大）  SDM2018-22 |
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| 抄録 | （和） | n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(XPS)と光電子収率分光法(PYS)によって、化学結合状態および欠陥密度分布を評価した。また、大気暴露することなく、光電子分光法装置内で熱処理(PDA)を行い、PDAと光電子分光測定を交互に行うことでSiO2/GaN構造の熱的安定性を調べた。600°CのPDAではSiO2/GaN構造は化学的に安定であるが、700°C以上のPDAによりSiO2膜へのGa拡散が認められた。SiO2/GaN構造のギャップ内の電子占有欠陥密度の低減には600°C以上のPDA処理をすることが有効であることが分かった。 |
| （英） | A ~6.2 nm-thick SiO2 was deposited on n-type GaN(0001) by the remote O2 plasma enhanced CVD, and chemical bonding features and filled defect states of SiO2/GaN structure were studied by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and total photoelectron yield spectroscopy (PYS), respectively. And, post deposition anneal (PDA) was performed in XPS/PYS system without air exposure to evaluate the thermal stability of SiO2/GaN structure. Chemical structure at SiO2/GaN interface was found to be thermally stable against PDA at temperatures up to 600C. With increasing PDA temperatures over 700C, diffusion and incorporation of Ga atoms into SiO2 were detected. And, it was found that PDA at temperatures over 600C was effective to decrease the filled gap states in the region near the SiO2/GaN interface. | |
| キーワード | （和） | GaN / SiO2 / リモートプラズマ支援CVD / 熱安定性 / / / / |
| （英） | GaN / SiO2 / Remote O2 Plasma Enhanced CVD / Thermal Stability / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-22, pp. 29-32, 2018年6月. | |
| 資料番号 | SDM2018-22 | |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2018-06-25 - 2018-06-25 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical Bonding Features and Thermal Stability at SiO2/GaN interfaces Formed by Remote O2 Plasma Enhanced CVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(3)（和/英） | リモートプラズマ支援CVD / Remote O2 Plasma Enhanced CVD |
| キーワード(4)（和/英） | 熱安定性 / Thermal Stability |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 亮平 / Ryohei Matsuda / マツダ リョウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 三聡 / Mitsuaki Shimizu / シミズ ミツアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-06-25 15:15:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-22 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.110 |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-06-18 (SDM) |
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