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講演抄録/キーワード
講演名 2018-06-25 13:30
[依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ~ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ~
松本 翼金沢大)・加藤宙光牧野俊晴小倉政彦竹内大輔産総研)・猪熊孝夫金沢大)・山崎 聡産総研)・徳田規夫金沢大SDM2018-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-20
抄録 (和) ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、SiにおけるSiO2のような良質な自然酸化膜が存在しないため、その実現は困難であると考えられてきた。近年、低濃度リンドーピング技術とダイヤモンド表面をOHで終端できるウェットアニール技術を組み合わせることで、ダイヤモンドMOS界面の品質改善に成功し、反転層チャネルMOSFET実現に至った。ここでは、MOSFETの材料としてのダイヤモンドの紹介からMOS界面におけるウェットアニール処理の効果、そして、MOSFETの現状と課題について報告する。 
(英) We fabricated inversion channel diamond MOSFET with normally off characteristics. The diamond MOSFET with the inversion channel had not been reported until we reported the MOSFET, because diamond do not have a native oxide such as SiO2 in the Si MOSFET. The success was obtained by a high quality diamond MOS interface using a light phosphorus doping technique and a wet annealing technique for OH termination. In this report, we will discuss diamond as a material of MOSFET, the effects of the wet annealing technique in diamond MOS interface, and current status and issues of the diamond MOSFET.
キーワード (和) ダイヤモンド / MOSFET / 界面準位 / 反転層 / / / /  
(英) diamond / MOSFET / interface state / inversion / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-20, pp. 19-22, 2018年6月.
資料番号 SDM2018-20 
発行日 2018-06-18 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-20

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-06-25 - 2018-06-25 
開催地(和) 名古屋大学 VBL3F 
開催地(英) Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 
サブタイトル(和) ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 
タイトル(英) Inversion channel diamond MOSFET 
サブタイトル(英) Formation of diamond MOS interface by wet annealing 
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンド / diamond  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 界面準位 / interface state  
キーワード(4)(和/英) 反転層 / inversion  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 翼 / Tsubasa Matsumoto / マツモト ツバサ
第1著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 宙光 / Hiromitsu Kato / カトウ ヒロミツ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 俊晴 / Toshiharu Makino / マキノ トシハル
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小倉 政彦 / Masahiko Ogura / オグラ マサヒコ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 大輔 / Daisuke Takeuchi / タケウチ ダイスケ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 猪熊 孝夫 / Takao Inokuma / イノクマ タカオ
第6著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 聡 / Satoshi Yamasaki / ヤマサキ サトシ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 徳田 規夫 / Norio Tokuda / トクダ ノリオ
第8著者 所属(和/英) 金沢大学 (略称: 金沢大)
Kanazawa University (略称: Kanazawa Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-06-25 13:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2018-20 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.110 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2018-06-18 (SDM) 


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