講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-06-25 13:30
[依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET ~ ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成 ~ ○松本 翼(金沢大)・加藤宙光・牧野俊晴・小倉政彦・竹内大輔(産総研)・猪熊孝夫(金沢大)・山崎 聡(産総研)・徳田規夫(金沢大) SDM2018-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-20 |
抄録 |
(和) |
ダイヤモンド半導体においても、ノーマリーオフ動作可能な反転層チャネルMOSFETが実現した。ダイヤモンド半導体では、SiにおけるSiO2のような良質な自然酸化膜が存在しないため、その実現は困難であると考えられてきた。近年、低濃度リンドーピング技術とダイヤモンド表面をOHで終端できるウェットアニール技術を組み合わせることで、ダイヤモンドMOS界面の品質改善に成功し、反転層チャネルMOSFET実現に至った。ここでは、MOSFETの材料としてのダイヤモンドの紹介からMOS界面におけるウェットアニール処理の効果、そして、MOSFETの現状と課題について報告する。 |
(英) |
We fabricated inversion channel diamond MOSFET with normally off characteristics. The diamond MOSFET with the inversion channel had not been reported until we reported the MOSFET, because diamond do not have a native oxide such as SiO2 in the Si MOSFET. The success was obtained by a high quality diamond MOS interface using a light phosphorus doping technique and a wet annealing technique for OH termination. In this report, we will discuss diamond as a material of MOSFET, the effects of the wet annealing technique in diamond MOS interface, and current status and issues of the diamond MOSFET. |
キーワード |
(和) |
ダイヤモンド / MOSFET / 界面準位 / 反転層 / / / / |
(英) |
diamond / MOSFET / interface state / inversion / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-20, pp. 19-22, 2018年6月. |
資料番号 |
SDM2018-20 |
発行日 |
2018-06-18 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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