講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-06-25 16:15
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之(産総研)・鳥海 明(東大) SDM2018-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-25 |
抄録 |
(和) |
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々なデバイスへの応用が期待されている。金属元素を添加したHfO2結晶やHfO2とZrO2を混合した結晶において準安定なOrthorhombic結晶相が生成し、強誘電性が現れる。HfO2系強誘電体の大きな特徴の一つに抗電界が大きいことが挙げられる。このことは極薄膜でも大きなメモリウインドウが確保できるというメリットになる一方で、メモリ動作するための電界が絶縁破壊電界に近いというデメリットになっている。そのため繰り返し書き換え試験を行なった際の自発分極量の変動や突発的な破壊を引き起こすことが問題となっており、その解決が重要課題となっている。、 |
(英) |
Ferroelectric HfO2-based thin films are attractive memory materials for application in LSI. These ferroelectrics have large coercive fields, 10 times larger than those of conventional ferroelectric materials. The large coercive field is advantageous for the attainment of a large memory window in ultrathin films. In another sense, however, the applied electric field for memory operation becomes close to the breakdown electric field of the film. Therefore it is important to secure robust memory properties during the cyclic voltage application. |
キーワード |
(和) |
HfO2 / Hf-Zr-O / 強誘電体 / 準安定相 / 書き換え耐性 / 抗電界 / 絶縁破壊電界 / |
(英) |
HfO2 / Hf-Zr-O / ferroelectric / metastable phase / endurance / coercive field / dielectric breakdown / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-25, pp. 43-46, 2018年6月. |
資料番号 |
SDM2018-25 |
発行日 |
2018-06-18 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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