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講演抄録/キーワード
講演名 2018-06-25 16:15
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-25
抄録 (和) HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々なデバイスへの応用が期待されている。金属元素を添加したHfO2結晶やHfO2とZrO2を混合した結晶において準安定なOrthorhombic結晶相が生成し、強誘電性が現れる。HfO2系強誘電体の大きな特徴の一つに抗電界が大きいことが挙げられる。このことは極薄膜でも大きなメモリウインドウが確保できるというメリットになる一方で、メモリ動作するための電界が絶縁破壊電界に近いというデメリットになっている。そのため繰り返し書き換え試験を行なった際の自発分極量の変動や突発的な破壊を引き起こすことが問題となっており、その解決が重要課題となっている。、 
(英) Ferroelectric HfO2-based thin films are attractive memory materials for application in LSI. These ferroelectrics have large coercive fields, 10 times larger than those of conventional ferroelectric materials. The large coercive field is advantageous for the attainment of a large memory window in ultrathin films. In another sense, however, the applied electric field for memory operation becomes close to the breakdown electric field of the film. Therefore it is important to secure robust memory properties during the cyclic voltage application.
キーワード (和) HfO2 / Hf-Zr-O / 強誘電体 / 準安定相 / 書き換え耐性 / 抗電界 / 絶縁破壊電界 /  
(英) HfO2 / Hf-Zr-O / ferroelectric / metastable phase / endurance / coercive field / dielectric breakdown /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 110, SDM2018-25, pp. 43-46, 2018年6月.
資料番号 SDM2018-25 
発行日 2018-06-18 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-25

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-06-25 - 2018-06-25 
開催地(和) 名古屋大学 VBL3F 
開催地(英) Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Concern of Ferroelectric HfO2 Films Brought by Large Coercive Field 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) HfO2 / HfO2  
キーワード(2)(和/英) Hf-Zr-O / Hf-Zr-O  
キーワード(3)(和/英) 強誘電体 / ferroelectric  
キーワード(4)(和/英) 準安定相 / metastable phase  
キーワード(5)(和/英) 書き換え耐性 / endurance  
キーワード(6)(和/英) 抗電界 / coercive field  
キーワード(7)(和/英) 絶縁破壊電界 / dielectric breakdown  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第1著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-06-25 16:15:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2018-25 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.110 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数
発行日 2018-06-18 (SDM) 


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