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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-08-07 13:40 ［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 ○柳 永勛・田中宏幸（産総研）・古賀和博・佐藤和重（ミニマルファブ推進機構）・クンプアン ソマワン・長尾昌善・松川 貴・原 史朗（産総研）  SDM2018-30 ICD2018-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-30 ICD2018-17 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い，ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上に，Gate-LastとGate-FirstプロセスによるSOI-CMOSの作製に成功し，そのSOI-CMOSと1kトランジスタレベルのCMOS集積回路が正常に動作することを確認した. また，CMOS-MEMS融合デバイスとして，極薄SOIダイヤフラム上にCMOSリングオシレータを作製し，残留応力による発振周波数の変化も確認した．この結果より，ミニマルファブでCMOS論理回路及びCMOS-MEMS融合デバイス作製が可能であると言える． |
| （英） | In this work, gate-last and gate-first SOI-CMOS integrated circuits have been successfully fabricated on the minimal wafer (diameter = 12.5 mm) by using the developed minimal-fab and mega-fab hybrid process, and the normal operations of the fabricated SOI-CMOS and 1k-trnsisitor level CMOS integrated circuits have been confirmed. Moreover, as the CMOS-MEMS integrated device, the CMOS ring oscillator has been fabricated on a thin SOI diaphragm and the change of oscillation frequency has been confirmed before and after the diaphragm formation due to the residual mechanical stress. These results indicate that logic gate CMOS-IC and CMOS-MEMS devices can be fabricated using the developed minimal-fab process. | |
| キーワード | （和） | ミニマルファブ / SOI-CMOS / MEMS / ダイヤフラム / / / / |
| （英） | Minimal-fab / SOI-CMOS / MEMS / Diaphragm / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 172, SDM2018-30, pp. 25-30, 2018年8月. | |
| 資料番号 | SDM2018-30 | |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-30 ICD2018-17 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-30 ICD2018-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2018-08-07 - 2018-08-09 |
| 開催地（和） | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of SOI-CMOS Using Minimal-Fab and Mega-Fab Hybrid Process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミニマルファブ / Minimal-fab |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-CMOS / SOI-CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(4)（和/英） | ダイヤフラム / Diaphragm |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳 永勛 / Yongxun Liu / リュウ ユウシュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 宏幸 / Hiroyuki Tanaka / |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古賀 和博 / Kazuhiro Koga / |
| 第3著者 所属（和/英） | 一般財団法人ミニマルファブ推進機構 (略称： ミニマルファブ推進機構) Minimal Fab General Incorporated Association (略称： MINIMAL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 和重 / Kazushige Sato / |
| 第4著者 所属（和/英） | 一般財団法人ミニマルファブ推進機構 (略称： ミニマルファブ推進機構) Minimal Fab General Incorporated Association (略称： MINIMAL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | クンプアン ソマワン / Sommawan Khumpuang / |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / |
| 第6著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa / |
| 第7著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 史朗 / Shiro Hara / |
| 第8著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-08-07 13:40:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-30, ICD2018-17 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |
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