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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-08-07 12:55 ［招待講演］慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 ○富澤英之・久留井慶彦（東芝）・秋田一平（産総研）・藤本 明・齋藤友博・小島章弘・柴田英毅（東芝）  SDM2018-29 ICD2018-16 |
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| 抄録 | （和） | 本稿は実デバイス試作・評価結果を以て慣性系MEMSセンサにおける多結晶SiGe材料のメリットを報告する．我々は、超低消費電力な慣性MEMSセンサを作製するために、多結晶SiGe膜の応力制御を行い、厚膜、且つ低温成膜プロセスを確立することにより厚さ20µm のMEMS加速度センサの試作に成功した．SiとSiGe材料でMEMS加速度センサ構造を同一寸法で試作し、比較評価を実施した。その結果、SiGe材料のMEMS加速度センサはSi材料のそれに対して2倍以上の高感度化、低ノイズ化、及び低消費電力化が可能であることを実測し、SiGe材料が将来の超低消費電力化に有望であることを実証した． |
| （英） | In this paper, for the first time we demonstrate the material benefits of SiGe for MEMS applications based on the results of fabricated devices. To achieve SiGe inertial MEMS, we develop the deposition process for thick, low-temperature poly-SiGe film with which film stress is controlled precisely, and fabricate SiGe accelerometers having 20µm thickness. We clarify that the SiGe accelerometer shows higher sensor sensitivity and lower power consumption compared to Si one and is thus suitable for future ultra-low-power sensors. | |
| キーワード | （和） | IoT / Ultra-low-power Sensors / MEMS-on-CMOS / poly-SiGe / Accelerometer / / / |
| （英） | IoT / Ultra-low-power Sensors / MEMS-on-CMOS / poly-SiGe / Accelerometer / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 172, SDM2018-29, pp. 21-24, 2018年8月. | |
| 資料番号 | SDM2018-29 | |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-29 ICD2018-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2018-08-07 - 2018-08-09 |
| 開催地（和） | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School of IST M Bldg., M151 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of SiGe-MEMS-on-CMOS technology for ultra-low-power inertial sensors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | IoT / IoT |
| キーワード(2)（和/英） | Ultra-low-power Sensors / Ultra-low-power Sensors |
| キーワード(3)（和/英） | MEMS-on-CMOS / MEMS-on-CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | poly-SiGe / poly-SiGe |
| キーワード(5)（和/英） | Accelerometer / Accelerometer |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富澤 英之 / Hideyuki Tomizawa / トミザワ ヒデユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久留井 慶彦 / Yoshihiko Kurui / クルイ ヨシヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋田 一平 / Ippei Akita / アキタ イッペイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤本 明 / Akira Fujimoto / フジモト アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 友博 / Tomohiro Saito / サイトウ トモヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 章弘 / Akihiro Kojima / コジマ アキヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 英毅 / Hideki Shibata / シバタ ヒデキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-08-07 12:55:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-29, ICD2018-16 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.172(SDM), no.173(ICD) |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-07-31 (SDM, ICD) |
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