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講演抄録/キーワード
講演名
2018-08-09 16:05
真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討
○
対馬和都
・
滝田健介
・
中澤日出樹
(
弘前大
)・
俵 毅彦
・
舘野功太
・
章 国強
・
後藤秀樹
(
NTT
)・
池田高之
・
水野誠一郎
(
NTT-AT
)・
岡本 浩
(
弘前大
)
CPM2018-12
エレソ技報アーカイブへのリンク:
CPM2018-12
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-12, pp. 21-24, 2018年8月.
資料番号
CPM2018-12
発行日
2018-08-02 (CPM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
CPM2018-12
エレソ技報アーカイブへのリンク:
CPM2018-12
研究会情報
研究会
CPM
開催期間
2018-08-09 - 2018-08-10
開催地(和)
弘前大学文京町地区キャンパス
開催地(英)
Hirosaki Univ.
テーマ(和)
電子部品・材料、一般
テーマ(英)
Component Parts and Materials, etc.
講演論文情報の詳細
申込み研究会
CPM
会議コード
2018-08-CPM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Study on the formation mechanism of Bi-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
/
キーワード(3)(和/英)
/
キーワード(4)(和/英)
/
キーワード(5)(和/英)
/
キーワード(6)(和/英)
/
キーワード(7)(和/英)
/
キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
対馬 和都
/
Kazuto Tsushima
/
ツシマ カズト
第1著者 所属(和/英)
弘前大学
(略称:
弘前大
)
Hirosaki University
(略称:
Hirosaki Univ.
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
滝田 健介
/
Kensuke Takita
/
タキタ ケンスケ
第2著者 所属(和/英)
弘前大学
(略称:
弘前大
)
Hirosaki University
(略称:
Hirosaki Univ.
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
中澤 日出樹
/
Hideki Nakazawa
/
ナカザワ ヒデキ
第3著者 所属(和/英)
弘前大学
(略称:
弘前大
)
Hirosaki University
(略称:
Hirosaki Univ.
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
俵 毅彦
/
Takehiko Tawara
/
タワラ タケヒコ
第4著者 所属(和/英)
NTT物性科学基礎研究所
(略称:
NTT
)
NTT Basic Research Laboratories
(略称:
NTT
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
舘野 功太
/
Kouta Tateno
/
タテノ コウタ
第5著者 所属(和/英)
NTT物性科学基礎研究所
(略称:
NTT
)
NTT Basic Research Laboratories
(略称:
NTT
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
章 国強
/
Guoqiang Zhang
/
ザン ゴウチャン
第6著者 所属(和/英)
NTT物性科学基礎研究所
(略称:
NTT
)
NTT Basic Research Laboratories
(略称:
NTT
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
後藤 秀樹
/
Hideki Gotoh
/
ゴトウ ヒデキ
第7著者 所属(和/英)
NTT物性科学基礎研究所
(略称:
NTT
)
NTT Basic Research Laboratories
(略称:
NTT
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
池田 高之
/
Takayuki Ikeda
/
イケダ タカユキ
第8著者 所属(和/英)
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジー株式会社
(略称:
NTT-AT
)
NTT Advanced Technology Corporation
(略称:
NTT-AT
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
水野 誠一郎
/
Seiichiro Mizuno
/
ミズノ セイイチロウ
第9著者 所属(和/英)
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジー株式会社
(略称:
NTT-AT
)
NTT Advanced Technology Corporation
(略称:
NTT-AT
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
岡本 浩
/
Hiroshi Okamoto
/
オカモト ヒロシ
第10著者 所属(和/英)
弘前大学
(略称:
弘前大
)
Hirosaki University
(略称:
Hirosaki Univ.
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2018-08-09 16:05:00
発表時間
20分
申込先研究会
CPM
資料番号
CPM2018-12
巻番号(vol)
vol.118
号番号(no)
no.179
ページ範囲
pp.21-24
ページ数
4
発行日
2018-08-02 (CPM)
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