講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-08-10 11:05
Si基板上SiO2薄膜の電子線照射による還元反応 ○藤森敬典・千田陽介・増田悠右・氏家夏樹・遠田義晴(弘前大) CPM2018-18 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2018-18 |
抄録 |
(和) |
20 nm~100 nm厚のSiO_{2}膜を有するSi(100)表面に様々な条件で電子線照射し、その後フッ酸処理や真 空加熱を行い、電子線照射効果を走査型電子顕微鏡(SEM)や原子間力顕微鏡(AFM)を用いて調べた。
フッ酸処理後 の表面を AFM で観察すると、電子線照射領域にSiO_{2}が還元されてできたと思われる Si ドットが見られた。
真空加熱後では、電子線照射領域にSiO_{2}が熱脱離した正方形状の小孔(ボイド)がSEMにより観測された。
これら結果は、電子線照射により還元されたSiが形成され、これを核として SiO_{2}膜が選択的に熱脱離し、本来脱離が起こらない加熱温度でもボイドが形成されることを示している。 |
(英) |
Irradiation effects of electron beam on 20-100-nm-thick SiO_{2} layer on Si(100) have been investigated by scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM).
After electron beam irradiation, the sample was dipped in hydrofluoric acid to remove the SiO_{2} layer, and then observed by AFM.
The AFM images showed Si dots at irradiation areas, indicating reduction of SiO_{2} layer.
Annealing of the sample was also carried out in vacuum after the irradiation.
After annealing, small square pits (voids) were observed only at the irradiation areas by SEM.
This indicates the SiO_{2} layer is selectively desorbed due to the presence of the reduced Si formed by the irradiation, and consequently the void is formed even at low temperature. |
キーワード |
(和) |
シリコン酸化膜 / 還元反応 / 電子線 / ボイド / 熱脱離 / / / |
(英) |
Silicon Dioxide / Reduction Reaction / Electron Beam / Void / Thermal Desorption / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 179, CPM2018-18, pp. 47-52, 2018年8月. |
資料番号 |
CPM2018-18 |
発行日 |
2018-08-02 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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