Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブルSi TFTプロセス実現に向けての大きな課題となっている。我々はこれまで真空を用いない低温プロセスとしてリン酸塗布法によるKrFエキシマレーザードーピングについて報告してきた。本稿では、この方法によりドーピングを施したSi TFTのオーミックコンタクト形成について検討したので報告する。
(英)
There are some issues in printable Si TFT processes. In particlular, formation of ormic contact of silicon TFT requiers ion implantation and high temperature (~500 ℃) annealing processes. We reported about KrF excimer laser doping with a phosphoric acid coating as low-temperature process. In this paper, we report a formation of ormic contact using this method.