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講演抄録/キーワード
講演名 2018-10-17 15:20
Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-54
抄録 (和) Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブルSi TFTプロセス実現に向けての大きな課題となっている。我々はこれまで真空を用いない低温プロセスとしてリン酸塗布法によるKrFエキシマレーザードーピングについて報告してきた。本稿では、この方法によりドーピングを施したSi TFTのオーミックコンタクト形成について検討したので報告する。 
(英) There are some issues in printable Si TFT processes. In particlular, formation of ormic contact of silicon TFT requiers ion implantation and high temperature (~500 ℃) annealing processes. We reported about KrF excimer laser doping with a phosphoric acid coating as low-temperature process. In this paper, we report a formation of ormic contact using this method.
キーワード (和) 低温ポリシリコン / 薄膜トランジスタ / エキシマレーザードーピング / リン酸コーティング / コンタクト抵抗 / / /  
(英) Low-temperature poly-Si / Thin-film-transistor / Excimer laser doping / Phosphoric acid coating / Contact resistivity / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 241, SDM2018-54, pp. 11-14, 2018年10月.
資料番号 SDM2018-54 
発行日 2018-10-10 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-54 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-54

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2018-10-17 - 2018-10-18 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-10-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低温ポリシリコン / Low-temperature poly-Si  
キーワード(2)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-film-transistor  
キーワード(3)(和/英) エキシマレーザードーピング / Excimer laser doping  
キーワード(4)(和/英) リン酸コーティング / Phosphoric acid coating  
キーワード(5)(和/英) コンタクト抵抗 / Contact resistivity  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 妹川 要 / Kaname Imokawa / イモカワ カナメ
第1著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 希 / Nozomu Tanaka / タナカ ノゾム
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 輝 / Akira Suwa / スワ アキラ
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 大輔 / Daisuke Nakamura / ナカムラ ダイスケ
第4著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ
第5著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / イケノウエ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-10-17 15:20:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2018-54 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.241 
ページ範囲 pp.11-14 
ページ数
発行日 2018-10-10 (SDM) 


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