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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-10-18 16:35 GaN HEMTダーリントン電力増幅器の個別バイアス調整による高効率・低ひずみ化 ○北村 淳・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大）  EMCJ2018-45 MW2018-81 EST2018-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2018-81 EST2018-67 |
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| 抄録 | （和） | トランジスタ増幅器の高性能化の手法としてマルチトランジスタ構成を用いられることは広く行われている． マルチトランジスタ構成ではゲートバイアスの調整によりそれぞれのトランジスタの非線形を打ち消すことが可能であるため線形性の向上が可能である． 本研究では，電力増幅器の広いダイナミックレンジにおける低ひずみと高効率を両立するために，独立バイアス型GaN HEMTダーリントン電力増幅器の試作，評価を行った． ダーリントン増幅器のゲートバイアスを個別に調整することでそれぞれのGaN HEMTの非線形を打ち消し，3次相互変調歪（IMD3)が抑制された． またドレインバイアスを独立とし調整することでIMD3に影響を与えることなく付加電力効率(PAE)を向上させた． その結果，1.45 GHzにおいてIMD3が$-$35 dBc以下の条件で出力電力30 dBm，PAEが36 % を達成した. また64-QAMの信号を入力した場合，20～32d Bmの出力電力範囲で高品質のコンスタレーションが保持された． |
| （英） | Multi-transistor configurations are widely applied for improving the performance of transistor amplifiers. In the multi-transistor configuration, it is possible to cancel the nonlinearity of each transistor by adjusting the gate bias, so linearity can be improved. In this research, we have fabricated and evaluated an independent-bias-type GaN HEMT Darlington power amplifier to achieve both low distortion and high efficiency in a wide dynamic range of a power amplifier. By individually adjusting the gate bias voltages in the Darlington amplifier, a third order intermodulation distortion (IMD3) is suppressed. Moreover, by adjusting the drain bias voltages, a power added efficiency (PAE) was improved without affecting to IMD3. The fabricated GaN HEMT Darlington power amplifier exhibited a PAE of 36% and an IMD3 of $-$35,dBc with an output power of 30,dBm at 1.45,GHz. A high quality 64-QAM constellation has been retained for an output power range from 20 to 32,dBm. | |
| キーワード | （和） | ダーリントン / GaN HEMT / 電力増幅器 / 高効率 / 低ひずみ / / / |
| （英） | Darlington / GaN HEMT / power amplifier / high efficiency / low distortion / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 248, MW2018-81, pp. 71-75, 2018年10月. | |
| 資料番号 | MW2018-81 | |
| 発行日 | 2018-10-11 (EMCJ, MW, EST) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMCJ2018-45 MW2018-81 EST2018-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2018-81 EST2018-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST MW EMCJ IEE-EMC |
| 開催期間 | 2018-10-18 - 2018-10-19 |
| 開催地（和） | 八戸商工会館（青森県八戸市） |
| 開催地（英） | Hachinohe Chamber of Commerce and Industry(Hachinohe city, Aomori) |
| テーマ（和） | シミュレーション技術・EMC、マイクロ波、電磁界シミュレーション、一般 |
| テーマ（英） | Simulation techniques, EMC, Microwave, Electromagnetic field simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2018-10-EST-MW-EMCJ-EMC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN HEMTダーリントン電力増幅器の個別バイアス調整による高効率・低ひずみ化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN HEMT Darlington Power Amplifier with Individual Bias Adjustment for High-Efficiency and Low-Distortion Characteristics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダーリントン / Darlington |
| キーワード(2)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | 低ひずみ / low distortion |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北村 淳 / Atsushi Kitamura / キタムラ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-10-18 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | EMCJ2018-45, MW2018-81, EST2018-67 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.247(EMCJ), no.248(MW), no.249(EST) |
| ページ範囲 | pp.71-75 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2018-10-11 (EMCJ, MW, EST) |
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