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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-01 15:15 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）  CPM2018-46 |
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| 抄録 | （和） | Ｓi-LSIにおいて、最もエレクトロマイグレーション耐性に優れるCu(111)を高配向成長させるための下地材料として、TaWN膜を提案し、その配向制御と拡散バリヤ性能を検討した。これまでは、拡散バリヤ材料とCu(111)面を高配向成長させる下地材料はそれぞれ異なるものであったが、我々はそれらの２つの機能を有する材料を模索してきた。その結果、5nmの膜厚のTaWN膜上にCu(111)面が高配向でき、かつ700℃1時間の熱処理後においてもCuの拡散が生じていないことを実証することができた。したがって、TaWN膜は、Cu(111)配向を実現できる下地材料であると共に、Cuの拡散を高温まで抑制できる優れたバリヤ材料として機能することが明らかになった。 |
| （英） | In order to improve an electromaigration resistance, we examine the Cu grain orientation control on the thin barrier with good barrier properties. We demonstrate a highly oriented Cu(111) film on 5-nm-thick TaWN barrier even in the as-deposited Cu/TaWN/Si specimen. Moreover, the Cu/TaWN/Si system can keep stable up to the annealing at 700 ºC for 1 h without Ta- or Cu-silicides formation. We can obtain both the underlying material realizing the highly (111) oriented Cu interconnects and the diffusion barrier with sufficient barrier properties. | |
| キーワード | （和） | LSI / Cu配線 / TaWN膜 / 拡散バリヤ / Cu(111)配向 / / / |
| （英） | LSI / Cu interconnects / TaWN film / diffusion barrier / Cu(111) orientation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 276, CPM2018-46, pp. 25-28, 2018年11月. | |
| 資料番号 | CPM2018-46 | |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2018-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM IEE-MAG |
| 開催期間 | 2018-11-01 - 2018-11-02 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2018-11-CPM-MAG |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄バリヤ上のCu(111)配向制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Orientation control of Cu(111) on extremely thin barrier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(3)（和/英） | TaWN膜 / TaWN film |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(5)（和/英） | Cu(111)配向 / Cu(111) orientation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst. of Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-01 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2018-46 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.276 |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |
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