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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-02 10:25 SnSとMgSnOを用いた薄膜太陽電池の作製 小柳津和成・○高野 泰（静岡大）  CPM2018-48 |
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| 抄録 | （和） | SnSは太陽電池の吸収層材料として有望である。SnS太陽電池のSnSに対するバァッファー層としてMgSnO層を検討した。Mgの組成が太陽電池の特性に与える影響を調べた。MgSnOをゾルゲル法で堆積し、その上にSnSを真空蒸着により堆積させた。Mgを含まないSnO2層上のSnSは整流性を示さず、発電特性は認められなかった。Mg組成0.5のMgSnO上のSnSは整流性を示し、発電特性を示した。Mg組成が0.5で2.1%の変換効率が得られた。 |
| （英） | Tin sulfide (SnS) films present great potential as absorber materials. MgSnO films have a wide band gap, which will be suitable as a buffer layer forming a heterojunction with SnS for photovoltaic applications. We investigated SnS/MgSnO heterojunction solar cells. After MgSnO films were prepared using sol-gel method, SnS films were deposited using thermal evaporation. The SnS/MgSnO structure showed rectifying and photovoltaic characteristics, although the SnS/SnO2 structure exhibited no rectifying characteristic. The SnS/MgSnO solar cell reached conversion efficiency of 2.1%. | |
| キーワード | （和） | SnS / 真空蒸着 / Ⅳ-Ⅵ族化合物 / ゾルゲル法 / / / / |
| （英） | tinsulfide，thermal evaporation / IV-VI compound / semiconductor / sol-gel method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 276, CPM2018-48, pp. 61-64, 2018年11月. | |
| 資料番号 | CPM2018-48 | |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2018-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM IEE-MAG |
| 開催期間 | 2018-11-01 - 2018-11-02 |
| 開催地（和） | まちなかキャンパス長岡 |
| 開催地（英） | Machinaka campus Nagaoka |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectric materials, transparent conductors, semiconductors, etc.) Thin film processes / materials / devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2018-11-CPM-MAG |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SnSとMgSnOを用いた薄膜太陽電池の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of thin film solar cells using SnS and MgSnO |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SnS / tinsulfide，thermal evaporation |
| キーワード(2)（和/英） | 真空蒸着 / IV-VI compound |
| キーワード(3)（和/英） | Ⅳ-Ⅵ族化合物 / semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | ゾルゲル法 / sol-gel method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小柳津 和成 / Kazunari Oyaizu / オヤイヅ カズナリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2018-11-02 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2018-48 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.276 |
| ページ範囲 | pp.61-64 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-10-25 (CPM) |
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