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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-29 14:15 GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝）  ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
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| 抄録 | （和） | リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたGaN層のダメージを除去する表面処理プロセスとゲート絶縁膜アニールプロセスの導入により実現された．これら２つのプロセスはゲート絶縁膜/GaN界面の界面準位密度を低減し，その結果，チャネルのクーロン散乱が抑制されることでチャネル移動度が改善されることを明らかにした． |
| （英） | In the previous work, we studied on the channel mobility in the Normally-off recessed GaN-based metal-oxide-semiconductor field effect transistors (GaN-MOSFETs) and fabricated the GaN-MOSFET with improved channel mobility. The fabricated GaN-MOSFET is introduced the two processes: the long-time gate-dielectric SiO2 annealing after the deposition for the reducing charge-trap density in the SiO2 and the surface treatment under NH3 ambient after the recess etching process for removing the etching damage. From the analysis using the theoretical model based on Matthiessen’s rule, we show that the improvement of the channel mobility is achieved by reduction of the interface-trap density and suppression of Coulomb scattering in MOS-channel. | |
| キーワード | （和） | MOS型GaNパワーデバイス / リセス / チャネル移動度 / SiO2 / / / / |
| （英） | MOS-GaN power device / recess / channel mobility / SiO2 / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 330, ED2018-35, pp. 13-16, 2018年11月. | |
| 資料番号 | ED2018-35 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of channel mobility in GaN-MOS structure by surface treatment of recessed-GaN and dielectric SiO2 annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS型GaNパワーデバイス / MOS-GaN power device |
| キーワード(2)（和/英） | リセス / recess |
| キーワード(3)（和/英） | チャネル移動度 / channel mobility |
| キーワード(4)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶原 瑛祐 / Yosuke Kajiwara / カジワラ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新留 彩 / Aya Shindome / シンドメ アヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 彦坂 年輝 / Toshiki Hikosaka / ヒコサカ トシキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蔵口 雅彦 / Masahiko Kuraguchi / クラグチ マサヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 啓 / Akira Yoshioka / ヨシオカ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 (略称： 東芝デバイス&ストレージ) Toshiba Electronic Device & Storage Corporation (略称： Toshiba Electronic Device & Storage Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 布上 真也 / Shinya Nunoue / ヌノウエ シンヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-29 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-35, CPM2018-69, LQE2018-89 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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