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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-30 09:50 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 岡田英之・○寺迫智昭・五丁健治・林本直也（愛媛大）  ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 |
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| 抄録 | （和） | 硝酸銅(II)三水和物及び硝酸リチウムの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によって金(Au)シード層上に無添加及びリチウム(Li)添加酸化銅(II)(CuO)薄膜を成長した．無添加及びLi添加CuO薄膜の表面はともにランダムに分布したニードル状ナノ構造で覆われており，断面はプレート状構造から構成されていた．無添加薄膜では，Auシード層の結晶粒サイズの増加とともにニードル状ナノ構造のサイズが増大し，抵抗率は減少した．しかしながら，ニードル状ナノ構造のサイズと抵抗率に溶液濃度依存性は見出されなかった．Li添加薄膜においては，LiNO3濃度の増加に伴ってニードル状ナノ構造のサイズの増加し，抵抗率はLiNO3濃度3～5 μＭの範囲で最小となった． |
| （英） | Undoped and Li-doped CuO films were grown on Au seed layers by chemical bath deposition (CBD) using the mixed aqueous solutions of Cu(NO3)2・3H2O and LiNO3. Surfaces of the undoped and Li-doped films were covered with the randomly distributed needle-like nanostructures, and their cross sections were composed of the plate-like grains. For the undoped films, the increase in the grain size of the Au seed layer resulted in the increase in the average grain size of the needle-like nanostructures and the decrease in the resistivity. However, both the grain size of the needle-like nanostructure and resistivity were independent of the concentration of the CBD solution. For the Li doped films, the average grain size of the needle-like nanostructures increased with increasing the LiNO3 concentration in the CBD solution. Minimum resistivity values of the Li doped films were achieved in the LiNO3 concentration range from 3 to 5 μM. | |
| キーワード | （和） | 酸化銅（II) / 化学溶液析出法 / シード層 / X線回折 / 走査型電子顕微鏡 / 抵抗率 / / |
| （英） | CuO / Chemical Bath Deposition / Seed Layer / X-ray Diffraction / Scanning Electron Microscope / Resistivity / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 331, CPM2018-77, pp. 49-54, 2018年11月. | |
| 資料番号 | CPM2018-77 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-43 CPM2018-77 LQE2018-97 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical Bath Deposition of Undoped and Li Doped CuO Films and Thier Structural and Electrical Properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化銅（II) / CuO |
| キーワード(2)（和/英） | 化学溶液析出法 / Chemical Bath Deposition |
| キーワード(3)（和/英） | シード層 / Seed Layer |
| キーワード(4)（和/英） | X線回折 / X-ray Diffraction |
| キーワード(5)（和/英） | 走査型電子顕微鏡 / Scanning Electron Microscope |
| キーワード(6)（和/英） | 抵抗率 / Resistivity |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 英之 / Hideyuki Okada / オカダ ヒデユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺迫 智昭 / Tomoaki Terasako / テラサコ トモアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五丁 健治 / Kenji Gochoh / ゴチョウ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林本 直也 / Naoya Hayashimoto / ハヤシモト ナオヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 愛媛大学 (略称： 愛媛大) Ehime University (略称： Ehime Univ.) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2018-43, CPM2018-77, LQE2018-97 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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