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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-11-30 09:00 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
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| 抄録 | （和） | 新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造を有機金属気相成長法により成長し，構造評価および電気特性評価を実施した．構造評価結果より，バリア層InNモル分率の高い構造では，バリア層の面内格子歪みが減少し，クラックの少ない平坦な面が得られることが確認された．そのように歪み制御されたAlGaInN/AlGaNヘテロ構造の2次元電子ガス特性は，900℃の高温アニールを施してもほとんど劣化せず，高い熱的安定性を示すことが確認された．試作したAlGaInN/AlGaN MIS-HFETデバイスは，良好なピンチオフ特性を示し，コンタクト抵抗は10.5 Ωmmであった．更に，約2.5 kVという高いオフ耐圧を示した． |
| （英） | Novel AlGaN-channel heterostructures employing quaternary AlGaInN barriers were grown by metalorganic chemical vapor deposition, and their structural and electrical characteristics were evaluated. The structural characterizations confirmed that a sample with an In-rich barrier layer exhibited a small in-plane strain in the barrier layer and crack-free smooth surface morphology. The strain-controlled AlGaInN/AlGaN heterostructure showed an excellent thermal stability in its 2DEG properties even at high temperature up to 900°C. In addition, a fabricated MIS-HFET device exhibited good pinch-off characteristics with a contact resistance of 10.5 Ωmm. Furthermore, an extremely high off-state breakdown voltage of approximately 2.5 kV was obtained for the device. | |
| キーワード | （和） | パワーデバイス / AlGaNチャネルHFET / MOCVD / AlGaInN / / / / |
| （英） | Power device / AlGaN-channel HFET / MOCVD / AlGaInN / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 330, ED2018-41, pp. 41-44, 2018年11月. | |
| 資料番号 | ED2018-41 | |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2018-11-29 - 2018-11-30 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 2.5-kV-breakdown-voltage AlGaN-channel HFET with a strain-controlled AlGaInN barrier layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaNチャネルHFET / AlGaN-channel HFET |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細見 大樹 / Daiki Hosomi / ホソミ ダイキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古岡 啓太 / Keita Furuoka / フルオカ ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 珩 / Heng Chen / チン ギョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 早紀 / Saki Saito / サイトウ サキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-11-30 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-41, CPM2018-75, LQE2018-95 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
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