| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2018-12-06 17:10
光学デバイスへのRASの適用 ○田中康仁(シンクロン/電通大)・税所慎一郎(シンクロン)・Gabriel Delgado Fuentes・霞 朋樹・一色秀夫(電通大) OPE2018-124 LQE2018-134 SIPH2018-40 |
| 抄録 |
(和) |
シリコンフォトニクスなどの光学デバイスに、金属不完全化合物による成膜プロセスとラジカル源による完全反応プロセスを繰り返すRAS(Rasical Assisted Suputtering)を適用する。これまでRASは量産機のみであったが、本研究で実験用RASであるRAS for Labを開発した。 |
| (英) |
RAS (Rasical Assisted Suputtering) is applied to optical devices such as silicon photonics, which repeats
alternately the metal imperfect compound process and the complete reaction process by radical source.
RAS has been used for mass production until now, but in this research we developed RAS for research. |
| キーワード |
(和) |
RAS (Radical Assisted Sputtering) / シリコンフォトニクス / / / / / / |
| (英) |
RAS (Radical Assisted Sputtering) / Silicon photonics / / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 348, OPE2018-124, pp. 135-138, 2018年12月. |
| 資料番号 |
OPE2018-124 |
| 発行日 |
2018-11-29 (OPE, LQE, SIPH) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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OPE2018-124 LQE2018-134 SIPH2018-40 |