| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2018-12-06 17:10
RAS法によるEr0.29Yb0.29Y1.42SiO5結晶を用いた導波路型光増幅器の作製 ○箕輪映友子・一色秀夫・近藤史哉・宮城輝大・中村弦人・霞 朋樹(電通大) OPE2018-115 LQE2018-125 SIPH2018-31 |
| 抄録 |
(和) |
シリコンフォトニクスの技術の進歩に伴い、チップ間での光配線が進み、さらにチップ内での光スイッチングの領域まで広がりを見せようとしている。その光集積システムにおける光導波路中での伝播光の減衰を補償するためには微小な光増幅素子の開発が不可欠である。これまで我々は、Er,Yb,Y,Si,Oを含む結晶の最適組成比を求め、solgel法によるEr_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5結晶を用いた導波路型光増幅器の作製と評価を行ってきた。現在、Ybの添加による増感作用は明らかになっている。本研究では、RAS(Radical Assisted Sputtering)法によるEr_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5結晶の特性を評価し、導波路型光増幅器を作製する。 |
| (英) |
At present, in the field of information and communication technologies, silicon photo attracts attention. Since light attenuation occurs in silicon photonics, it is indispensable to develop a minute optical amplifying element. So far, we found the optimum composition ratio of crystals containing Er, Yb, Y, Si, O. We have fabricated and evaluated a waveguide type optical amplifier using Er_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5crystal by the solgel method. In this research, we evaluate the characteristics of the Er_0.29Yb_0.29Y_0.42SiO_5 crystal by the Radical Assisted Sputtering (RAS) method, and fabricate a waveguide type optical amplifier. |
| キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / 光増幅器 / エルビウム / / / / / |
| (英) |
Silicon photonics / Optical amplifying / Erbium / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 348, OPE2018-115, pp. 89-92, 2018年12月. |
| 資料番号 |
OPE2018-115 |
| 発行日 |
2018-11-29 (OPE, LQE, SIPH) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OPE2018-115 LQE2018-125 SIPH2018-31 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
LQE OPE SIPH |
| 開催期間 |
2018-12-06 - 2018-12-07 |
| 開催地(和) |
慶應義塾大学 |
| 開催地(英) |
Keio University |
| テーマ(和) |
Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) |
| テーマ(英) |
Photonic Device Workshop |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
OPE |
| 会議コード |
2018-12-LQE-OPE-SIPH |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
RAS法によるEr0.29Yb0.29Y1.42SiO5結晶を用いた導波路型光増幅器の作製 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Fabrication of Er0.29Yb0.29Y1.42SiO5 waveguide amplifier Radical Assisted Sputtering |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(2)(和/英) |
光増幅器 / Optical amplifying |
| キーワード(3)(和/英) |
エルビウム / Erbium |
| キーワード(4)(和/英) |
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| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
箕輪 映友子 / Ayuko Minowa / ミノワ アユコ |
| 第1著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
一色 秀夫 / Hideo Isshiki / イッシキ ヒデオ |
| 第2著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
近藤 史哉 / Fumiya Kondow / コンドウ フミヤ |
| 第3著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮城 輝大 / Kodai Miyagi / ミヤギ コウダイ |
| 第4著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中村 弦人 / Ghent Nakamura / ナカムラ ゲント |
| 第5著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
霞 朋樹 / Tomoki Kasumi / カスミ トモキ |
| 第6著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
| 第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2018-12-06 17:10:00 |
| 発表時間 |
80分 |
| 申込先研究会 |
OPE |
| 資料番号 |
OPE2018-115, LQE2018-125, SIPH2018-31 |
| 巻番号(vol) |
vol.118 |
| 号番号(no) |
no.348(OPE), no.349(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.89-92 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2018-11-29 (OPE, LQE, SIPH) |
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