講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-12-06 10:15
[奨励講演]400G超コヒーレント伝送システムに向けたInP系導波路型フォトダイオードの広帯域・高感度動作 ○沖本拓也(住友電工デバイス・イノベーション)・八木英樹(住友電工)・増山竜二・櫻井謙司・西本頼史・堀野和彦・渡邊孝幸(住友電工デバイス・イノベーション)・江川 満(住友電工)・米田昌博(住友電工デバイス・イノベーション) OPE2018-97 LQE2018-107 SIPH2018-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2018-97 LQE2018-107 |
抄録 |
(和) |
400Gbpsを超えるコヒーレント伝送システムの高速化に伴い, 受信器に搭載される受光素子には, 周波数応答(3dB-帯域幅)の拡大とともに, トレードオフを抑えて高い受光感度が求められる. 我々は, InP系90^◦ハイブリッドの出力導波路端にp-i-nフォトダイオード(PD)をモノリシック集積した受光素子において, 入射導波路コア層とPD吸収層の下部に低キャリア濃度のn^--InP バッファ層を共通配置した. これによって,キャリア走行時間の短縮・ダイオード容量の低減・自由キャリア吸収による導波路伝搬損失の低減を同時に実現し, 広帯域・高感度動作を達成した. さらに, 薄層化されたPD吸収層の下部に低濃度n^--GaInAsP層を加えたバットジョイント結合構造により, 入射導波路からの光結合損失を抑え, 50 GHzの3 dB-帯域幅と,波長1550 nmにおいて0.150 A/Wの高受光感度を達成した. |
(英) |
For high speed coherent transmission system over 400 Gbps, photodetectors for coherent receivers with both the wide bandwidth and high responsivity are required by overcoming the tradeoff. In the waveguide p-i-n photodiode (PD) array monolithically integrated with the 90◦ hybrid, we introduced the low doped n^--InP buffer layer under the absorption layer of PDs and the core layer of the 90◦ hybrid. Due to this layer, short carrier transit time, small diode capacitance and suppression of waveguide propagation loss caused by free carrier absorption were realized at the same time, and we achieved to be compatible with the wide 3-dB bandwidth and high responsivity. Moreover, by adopting the butt-joint structure with the low doped n^--GaInAsP layer underneath the thin absorption layer, coupling loss between the input waveguide and PDs was suppressed and we demonstrated the wide 3-dB bandwidth of 50 GHz and the 4-channel averaged responsivity as high as 0.150 A/W at a wavelength of 1550 nm. |
キーワード |
(和) |
コヒーレント伝送 / InP / 90°ハイブリッド / p-i-n PD / バットジョイント再成長 / / / |
(英) |
Coherent transmission / InP / 90°hybrid / p-i-n PD / Butt-joint regrowth / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 349, LQE2018-107, pp. 1-5, 2018年12月. |
資料番号 |
LQE2018-107 |
発行日 |
2018-11-29 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
OPE2018-97 LQE2018-107 SIPH2018-13 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2018-97 LQE2018-107 |
研究会情報 |
研究会 |
LQE OPE SIPH |
開催期間 |
2018-12-06 - 2018-12-07 |
開催地(和) |
慶應義塾大学 |
開催地(英) |
Keio University |
テーマ(和) |
Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) |
テーマ(英) |
Photonic Device Workshop |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2018-12-LQE-OPE-SIPH |
本文の言語 |
英語(日本語タイトルあり) |
タイトル(和) |
400G超コヒーレント伝送システムに向けたInP系導波路型フォトダイオードの広帯域・高感度動作 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Wide bandwidth and high responsivity of InP-based waveguide photodiodes for over 400 Gbps coherent transmission systems |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
コヒーレント伝送 / Coherent transmission |
キーワード(2)(和/英) |
InP / InP |
キーワード(3)(和/英) |
90°ハイブリッド / 90°hybrid |
キーワード(4)(和/英) |
p-i-n PD / p-i-n PD |
キーワード(5)(和/英) |
バットジョイント再成長 / Butt-joint regrowth |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
沖本 拓也 / Takuya Okimoto / オキモト タクヤ |
第1著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ |
第2著者 所属(和/英) |
住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: SEI) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
増山 竜二 / Ryuji Masuyama / マスヤマ リュウジ |
第3著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
櫻井 謙司 / Kenji Sakurai / サクライ ケンジ |
第4著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西本 頼史 / Yoshifumi Nishimoto / ニシモト ヨシフミ |
第5著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
堀野 和彦 / Kazuhiko Horino / ホリノ カズヒコ |
第6著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡邊 孝幸 / Takayuki Watanabe / ワタナベ タカユキ |
第7著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江川 満 / Mitsuru Ekawa / エカワ ミツル |
第8著者 所属(和/英) |
住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: SEI) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
米田 昌博 / Yoshihiro Yoneda / ヨネダ ヨシヒロ |
第9著者 所属(和/英) |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称: SEDI) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 所属(和/英) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 所属(和/英) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 所属(和/英) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 所属(和/英) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 所属(和/英) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2018-12-06 10:15:00 |
発表時間 |
30分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
OPE2018-97, LQE2018-107, SIPH2018-13 |
巻番号(vol) |
vol.118 |
号番号(no) |
no.348(OPE), no.349(LQE) |
ページ範囲 |
pp.1-5 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2018-11-29 (OPE, LQE) |
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