講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-12-06 16:20
[招待講演]ワット級緑色および青色レーザダイオードの開発現状 ○村山雅洋・中山雄介・保科幸男・渡邊秀輝・川西秀和・小山享宏・風田川統之(ソニー)・上村俊也(豊田合成)・簗嶋克典(ソニー) OPE2018-105 LQE2018-115 SIPH2018-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2018-105 LQE2018-115 |
抄録 |
(和) |
我々は、レーザディスプレイ用光源としてワット級光出力を擁する緑色および青色のレーザダイオードを開発した。緑色レーザの作製には{20-21}面の半極性GaN基板を用い、発振波長530 nmで最大光出力が2 Wを超える高出力動作を実現した。EO変換効率においても、約1 W動作に相当するCW 1.2 A駆動において、WPE 17.5%を実現した。一方、青色レーザの作製にはc面GaN基板を用い、発振波長465 nmにおいて光出力5.2 W、WPE 37.0%の高出力・高効率動作を実現した。これらのレーザダイオードは、次世代映像規格であるBT.2020に準拠する発光波長を有しており、今後のディスプレイ応用に有望なレーザ光源である。 |
(英) |
We achieved high-power operation using 530-nm green and 465-nm blue laser diodes fabricated on semipolar {20-21} and c-plane GaN substrates, respectively. The green lasers had a maximum output power in excess of 2 W under continuous-wave operation, and the wall-plug efficiency was as high as 17.5% under an operation current of 1.2 A. The blue lasers exhibited an output power and wall-plug efficiency of 5.2 W and 37.0%, respectively, at a current of 3.0 A under continuous-wave operation. These laser diodes are promising light sources meeting the ITU-R Recommendation BT.2020 for future laser display applications. |
キーワード |
(和) |
半導体レーザ / GaN / 半極性 / / / / / |
(英) |
Laser Diode / GaN / Semipolar / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 349, LQE2018-115, pp. 39-42, 2018年12月. |
資料番号 |
LQE2018-115 |
発行日 |
2018-11-29 (OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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