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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-12-18 11:35 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 ○伊藤孝郁・田邊匡生・小山 裕（東北大）  ED2018-67 |
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| 抄録 | （和） | 半導体デバイスプロセスにおける半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する半導体結晶としては二硫化モリブデン（MoS2）に着目している。MoS2は電界効果型トランジスタ（FET）のチャネルに応用でき、分子1層の極薄に形成できることから、シリコンより高速かつ低消費電力での動作が期待されている。本研究では、半導体デバイスサイズのMoS2薄膜形成を目指し、MoS2生成に適する基板について検討することを目的とした。 |
| （英） | As a new film formation technology for semiconductor crystals in semiconductor device processes, we have proposed a simple process utilizing friction. By the process, we fabricate molybdenum disulfide (MoS2) crystal. Since MoS2 can be applied to a channel of a field effect transistor (FET) and can be formed to be extremely thin one molecule layer, operation with higher speed and lower power consumption than silicon is expected. In this research, we aimed to form a MoS2 thin film of semiconductor device size, and aimed to study a substrate suitable for MoS2 generation. | |
| キーワード | （和） | MoS2 / 結晶成長 / 薄膜 / 摩擦 / / / / |
| （英） | MoS2 / Crystal growth / Thin film / friction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 368, ED2018-67, pp. 53-56, 2018年12月. | |
| 資料番号 | ED2018-67 | |
| 発行日 | 2018-12-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2018-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED THz |
| 開催期間 | 2018-12-17 - 2018-12-18 |
| 開催地（和） | 東北大・通研 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2018-12-ED-THz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of 2D-layered semiconductor MoS2 by novel friction induced method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MoS2 / MoS2 |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶成長 / Crystal growth |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 摩擦 / friction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 孝郁 / Takafumi Ito / イトウ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田邊 匡生 / Tadao Tanabe / タナベ タダオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-12-18 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2018-67 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.368 |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-12-10 (ED) |
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