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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-18 11:35
新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長
伊藤孝郁田邊匡生小山 裕東北大ED2018-67 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-67
抄録 (和) 半導体デバイスプロセスにおける半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する半導体結晶としては二硫化モリブデン(MoS2)に着目している。MoS2は電界効果型トランジスタ(FET)のチャネルに応用でき、分子1層の極薄に形成できることから、シリコンより高速かつ低消費電力での動作が期待されている。本研究では、半導体デバイスサイズのMoS2薄膜形成を目指し、MoS2生成に適する基板について検討することを目的とした。 
(英) As a new film formation technology for semiconductor crystals in semiconductor device processes, we have proposed a simple process utilizing friction. By the process, we fabricate molybdenum disulfide (MoS2) crystal. Since MoS2 can be applied to a channel of a field effect transistor (FET) and can be formed to be extremely thin one molecule layer, operation with higher speed and lower power consumption than silicon is expected. In this research, we aimed to form a MoS2 thin film of semiconductor device size, and aimed to study a substrate suitable for MoS2 generation.
キーワード (和) MoS2 / 結晶成長 / 薄膜 / 摩擦 / / / /  
(英) MoS2 / Crystal growth / Thin film / friction / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 368, ED2018-67, pp. 53-56, 2018年12月.
資料番号 ED2018-67 
発行日 2018-12-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-67 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-67

研究会情報
研究会 ED THz  
開催期間 2018-12-17 - 2018-12-18 
開催地(和) 東北大・通研 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ. 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-12-ED-THz 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Crystal growth of 2D-layered semiconductor MoS2 by novel friction induced method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MoS2 / MoS2  
キーワード(2)(和/英) 結晶成長 / Crystal growth  
キーワード(3)(和/英) 薄膜 / Thin film  
キーワード(4)(和/英) 摩擦 / friction  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝郁 / Takafumi Ito / イトウ タカフミ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田邊 匡生 / Tadao Tanabe / タナベ タダオ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-12-18 11:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2018-67 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.368 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数
発行日 2018-12-10 (ED) 


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