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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-01-18 11:15 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 ○上向井正裕・楠本 壮・田附大貴（阪大）・田島純平・彦坂年輝・布上真也（東芝）・片山竜二（阪大）  PN2018-76 EMT2018-110 OPE2018-185 LQE2018-195 EST2018-123 MWP2018-94 |
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| 抄録 | （和） | GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率波長変換デバイスへの応用が期待されている．励起光源として400 nm帯InGaN量子井戸単一モードレーザを用いれば，200 nm帯深紫外光発生や800 nm帯スクイーズド光発生が可能となるが，この波長帯における単一モードレーザの報告例はほとんどない．本研究では，高分解能EB描画や結晶再成長を必要としない簡便なプロセスで作製でき，周期構造領域に電流注入を行うことで波長可変を目指した2種のInGaN波長可変単一モードレーザの設計を行い，その作製プロセスについて検討を行ったので報告する． |
| （英） | Nitride semiconductors such as GaN and AlN have strong optical nonlinearity and can be applied to wavelength conversion devices. 200-nm band deep UV light and 800-nm band squeezed light can be obtained from such devices pumped by 400-nm band InGaN QW single-mode lasers. The single-mode lasers with deeply etched periodic structure can be fabricated by simple process without high-resolution EB lithography and epitaxial regrowth. By current injection to the periodic structures, wavelength tuning can be expected. In this work, we design two types of InGaN tunable single-mode lasers and report their fabrication process. | |
| キーワード | （和） | 半導体レーザ / 波長可変 / 単一モードレーザ / DBRレーザ / スロットレーザ / / / |
| （英） | Semiconductor lasers / Wavelength tuning / Single-mode lasers / DBR lasers / Slotted lasers / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 399, LQE2018-195, pp. 243-246, 2019年1月. | |
| 資料番号 | LQE2018-195 | |
| 発行日 | 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2018-76 EMT2018-110 OPE2018-185 LQE2018-195 EST2018-123 MWP2018-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | PN EMT OPE EST MWP LQE IEE-EMT |
| 開催期間 | 2019-01-17 - 2019-01-18 |
| 開催地（和） | 大阪大学中之島センター |
| 開催地（英） | Osaka University Nakanoshima Center |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-01-PN-EMT-OPE-EST-MWP-LQE-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaN quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply-etched periodic structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor lasers |
| キーワード(2)（和/英） | 波長可変 / Wavelength tuning |
| キーワード(3)（和/英） | 単一モードレーザ / Single-mode lasers |
| キーワード(4)（和/英） | DBRレーザ / DBR lasers |
| キーワード(5)（和/英） | スロットレーザ / Slotted lasers |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上向井 正裕 / Masahiro Uemukai / ウエムカイ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楠本 壮 / So Kusumoto / クスモト ソウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田附 大貴 / Daiki Tazuke / タヅケ ダイキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 純平 / Jumpei Tajima / タジマ ジュンペイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 彦坂 年輝 / Toshiki Hikosaka / ヒコサカ トシキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 布上 真也 / Shinya Nunoue / ヌノウエ シンヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 竜二 / Ryuji Katayama / カタヤマ リュウジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-18 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | PN2018-76, EMT2018-110, OPE2018-185, LQE2018-195, EST2018-123, MWP2018-94 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.396(PN), no.397(EMT), no.398(OPE), no.399(LQE), no.400(EST), no.401(MWP) |
| ページ範囲 | pp.243-246 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) |
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