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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-01-29 15:40 ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大）  SDM2018-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-90 |
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| 抄録 | （和） | スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) を試作し、ゲート電圧5Vでのスイッチング動作を実証した。かつ、1200Vの耐圧を維持しながら0.1Vのオン電圧低減と33%のターンオフ損失低減を実現した。 |
| （英） | Functional trench-gated 1200V-10A class Si-IGBTs, designed based on the scaling concept, were fabricated, and 5V gate voltage switching operation has been demonstrated for the first time. 33% reduction of turn-off loss and 100mV improvement of on-state voltage were achieved, while keeping 1.2kV forward blocking voltage. | |
| キーワード | （和） | パワーデバイス / IGBT / IE効果 / スケーリング / スイッチング損失 / / / |
| （英） | Power Device / IGBT / Injection Enhancement / Scaling / Switching Loss / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-90, pp. 39-44, 2019年1月. | |
| 資料番号 | SDM2018-90 | |
| 発行日 | 2019-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-90 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-01-29 - 2019-01-29 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス / Power Device |
| キーワード(2)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(3)（和/英） | IE効果 / Injection Enhancement |
| キーワード(4)（和/英） | スケーリング / Scaling |
| キーワード(5)（和/英） | スイッチング損失 / Switching Loss |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 一夫 / Kazuo Itou / イトウ カズオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高倉 俊彦 / Toshihiko Takakura / タカクラ トシヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福井 宗利 / Munetoshi Fukui / フクイ ムネトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 慎一 / Shinichi Suzuki / スズキ シンイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 附田 正則 / Masanori Tsukuda / ツクダ マサノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 北九州市環境エレクトロニクス研究所 (略称： 北九州市環境エレクトロニクス研) Green Electronics Research Institute, Kitakyushu (略称： GRIK) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼沢 陽一郎 / Yohichiroh Numasawa / ヌマサワ ヨウイチロウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 克己 / Katsumi Satoh / サトウ カツミ |
| 第9著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末代 知子 / Tomoko Matsudai / マツダイ トモコ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (略称： Toshiba Electronic Devices & Storage) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 渉 / Wataru Saito / サイトウ ワタル |
| 第11著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (略称： Toshiba Electronic Devices & Storage) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ |
| 第13著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 和由 / Kazuyoshi Furukawa / フルカワ カズヨシ |
| 第14著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 正裕 / Masahiro Watanabe / ワタナベ マサヒロ |
| 第15著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | 執行 直之 / Naoyuki Shigyo / シギョウ ナオユキ |
| 第16著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第17著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第18著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Inst. of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-29 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-90 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.429 |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-01-22 (SDM) |
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