講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-01-29 15:40
[招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔(東大)・附田正則(北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎(明大)・佐藤克己(三菱電機)・末代知子・齋藤 渉(東芝)・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋(東工大)・小椋厚志(明大)・西澤伸一(九大)・大村一郎(九工大)・大橋弘通(東工大)・平本俊郎(東大) SDM2018-90 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-90 |
抄録 |
(和) |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) を試作し、ゲート電圧5Vでのスイッチング動作を実証した。かつ、1200Vの耐圧を維持しながら0.1Vのオン電圧低減と33%のターンオフ損失低減を実現した。 |
(英) |
Functional trench-gated 1200V-10A class Si-IGBTs, designed based on the scaling concept, were fabricated, and 5V gate voltage switching operation has been demonstrated for the first time. 33% reduction of turn-off loss and 100mV improvement of on-state voltage were achieved, while keeping 1.2kV forward blocking voltage. |
キーワード |
(和) |
パワーデバイス / IGBT / IE効果 / スケーリング / スイッチング損失 / / / |
(英) |
Power Device / IGBT / Injection Enhancement / Scaling / Switching Loss / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-90, pp. 39-44, 2019年1月. |
資料番号 |
SDM2018-90 |
発行日 |
2019-01-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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