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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-02-28 16:20 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性 ○北田秀樹・佐藤 勝・武山真弓（北見工大）  CPM2018-111 |
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| 抄録 | （和） | 不揮発性メモリへ用いられる抵抗変化型メモリは, 2端子回路において多値機能と迷走電流を防止する整流機能が必要である．窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁膜構造における電気的特性において, Zr/Cu界面状態でのショットキー障壁形成の振る舞いを確認した．MIM構造に用いることで非対称性のI-V特性を有した整流機能として有効な特性が得られた．本報告では，金属銅との界面における障壁高さの違いと整流特性との関係性を議論する． |
| （英） | The rectification function to prevent a multivalued function and the snaking current in two-terminal operation is necessary for the resistive random access memory (ReRAM) used for the nonvolatile memory (NVM). In the electrical characterization on metal-insulation film structure that uses the nitride zirconium nitride (ZrNx) thin film, it was clarified to generate a Schottky barrier of different height in the thin film interface. | |
| キーワード | （和） | ZrN / MIM / ショットキー障壁 / ReRAM / / / / |
| （英） | ZrN / MIM / Schottky barrier / ReRAM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 461, CPM2018-111, pp. 45-48, 2019年2月. | |
| 資料番号 | CPM2018-111 | |
| 発行日 | 2019-02-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2018-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2019-02-28 - 2019-03-01 |
| 開催地（和） | 電通大 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 若手ミーティング |
| テーマ（英） | Young Researcher's Conference |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2019-02-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化ジルコニウム薄膜を用いた金属-絶縁-金属構造における電気伝導特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characterization of metal-insulator-metal stacked structure using ZrNx thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZrN / ZrN |
| キーワード(2)（和/英） | MIM / MIM |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(4)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北田 秀樹 / Hideki Kitada / キタダ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Institute) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Institute) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Institute) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-02-28 16:20:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2018-111 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.461 |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-02-21 (CPM) |
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