講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-05-17 14:40
シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化 ○平野拓一(東京都市大)・水野麻弥(NICT)・李 寧(上智大)・井上 剛・曽我部正嗣(住重アテックス)・岡田健一(東工大) EST2019-5 エレソ技報アーカイブへのリンク:EST2019-5 |
抄録 |
(和) |
高周波電磁界のCMOSシリコン(Si)基板での損失を低減するために水素(H)またはヘリウム(He)のイオンを照射する技術が開発されている。イオン照射によって導電率が下がるため、オンチップインダクタではQ値が上がり、オンチップアンテナでは利得が上がることから損失も低減されることが実測でも確認されている。イオン照射によってSi基板の導電率が下がることは実測で確認されているが、比誘電率の変化は調べられていなかった。そこで、本発表ではイオン照射する前とした後のSi基板の比誘電率をテラヘルツ時間領域分光システムにより測定して調べた結果について報告する。測定箇所によって少しばらつきがあるが、測定された比誘電率の平均値は11.80から11.34に低下することがわかった。また、60GHz帯オンチップアンテナの反射係数の周波数特性のシミュレーションと実測を比較し、Si基板の比誘電率の低下を考慮する前よりも考慮した後はシミュレーションと実測結果はより近くなった。 |
(英) |
The hydrogen (H) or helium (He) ion irradiation on a silicon (Si) substrate had been proposed to reduce loss in high frequency electromagnetic fields. It was confirmed by measurement that the Q factor of on-chip spiral inductor can increase and gain of on-chip antenna can reduce because the conductivity of silicon substrate decreases by ion irradiation. Although the change of the conductivity of Si by ion irradiation was investigated, the change of dielectric constant has not been investigated. The change of dielectric constant of Si by ion irradiation was measured by terahertz time-domain spectroscopy system in this paper. The measured dielectric constant of Si was changed from 11.80 (before ion irradiation) to 11.34 after ion irradiation. The measured frequency characteristic of reflection coefficient with measured dielectric constant in the simulation agrees well with measured one. |
キーワード |
(和) |
シリコン / イオン照射 / 誘電率測定 / テラヘルツ時間領域分光 / ミリ波 / オンチップアンテナ / / |
(英) |
Silicon / Ion Irradiation / Dielectric Constant Measurement / Terahertz Time-Domain Spectroscopy / Millimeter-Wave / On-Chip Antenna / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 42, EST2019-5, pp. 19-23, 2019年5月. |
資料番号 |
EST2019-5 |
発行日 |
2019-05-10 (EST) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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