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| 講演名 | 2019-06-21 11:20 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト ○全 智禧・鈴木陽洋・柴山茂久・財満鎭明・中塚 理（名大）  SDM2019-26 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-26 |
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| 抄録 | （和） | Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistors because of its higher mobilities of both electron and hole than Si and Ge. For the practical application, it is essential to reduce the contact resistivity at the metal/n-type Ge1−xSnx interface down to as low as 10–9 Ω·cm2. To reduce the contact resistivity, heavily n-type doping in Ge1−xSnx is necessary whereas n-type dopants of Ge have low solid solubility limits and large diffusion coefficients. Recently, we achieved n+-Ge1−xSnx growth with a superior crystallinity and a high electron concentration of 1020 cm−3 by in-situ Sb doping under non-thermal equilibrium conditions. In this study, we succeeded the formation of Ni(Ge1−xSnx) on n+-Ge1−xSnx by the relatively low-temperature annealing at 350 ºC without Sn segregation. As a result, an ultra-low resistivity contact of n-type Ge1−xSnx as low as 10−9 Ω·cm2 was achieved with the Ni(Ge1−xSnx)/Sb-doped Ge0.935Sn0.065 sample with an electron concentration of 1.8×1020 cm−3. |
| （英） | Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistors because of its higher mobilities of both electron and hole than Si and Ge. For the practical application, it is essential to reduce the contact resistivity at the metal/n-type Ge1−xSnx interface down to as low as 10–9 Ω·cm2. To reduce the contact resistivity, heavily n-type doping in Ge1−xSnx is necessary whereas n-type dopants of Ge have low solid solubility limits and large diffusion coefficients. Recently, we achieved n+-Ge1−xSnx growth with a superior crystallinity and a high electron concentration of 1020 cm−3 by in-situ Sb doping under non-thermal equilibrium conditions. In this study, we succeeded the formation of Ni(Ge1−xSnx) on n+-Ge1−xSnx by the relatively low-temperature annealing at 350 ºC without Sn segregation. As a result, an ultra-low resistivity contact of n-type Ge1−xSnx as low as 10−9 Ω·cm2 was achieved with the Ni(Ge1−xSnx)/Sb-doped Ge0.935Sn0.065 sample with an electron concentration of 1.8×1020 cm−3. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Ge1-xSnx / Sb / n-type doping / contact resistivity / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-26, pp. 5-9, 2019年6月. | |
| 資料番号 | SDM2019-26 | |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-26 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-06-21 - 2019-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-06-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ge1-xSnx |
| キーワード(2)（和/英） | / Sb |
| キーワード(3)（和/英） | / n-type doping |
| キーワード(4)（和/英） | / contact resistivity |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 全 智禧 / Jihee Jeon / ジョン ジヒ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 陽洋 / Akihiro Suzuki / アキヒロ スズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シゲヒサ シバヤマ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / シゲアキ ザイマ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / オサム ナカツカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-06-21 11:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-26 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.96 |
| ページ範囲 | pp.5-9 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
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