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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-08-07 14:15 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 ○浅井栄大・張 文馨・岡田直也・福田浩一・入沢寿史（産総研）  SDM2019-37 ICD2019-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-37 ICD2019-2 |
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| 抄録 | （和） | 遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン グを実現するトランジスタとして注目を集めている。しかし、電極とチャネル間の高いコンタクト抵抗が実用化における大きな 問題点の一つになっており、特に1~3 層程度の極薄膜チャネル構造に置いて顕著となる。本研究ではTCAD シミュレーション を用いて二次元チャネルFET の電流電圧特性を調べ、電極/チャネル間のフリンジ電界がコンタクト部の抵抗を大きく左右する 事を示す。 |
| （英） | Layered transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted much attention as promising 2D channel materials which realize ultra-scaling of MOSFET transistors. However, a high contact resistance between a 2D channel and an electrode has been one of critical issue for the application of the 2D channel FET, and the contact resistance becomes significantly large for the channels of several monolayer thickness. In this paper, we have numerically investigated the transfer characteristics of the 2D channel FETs and clarified the fringe-filed effect on the contact resistance in ultra-thin channel FETs. |
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| キーワード | （和） | 2 次元チャネルFET / コンタクト抵抗 / フリンジ電界 / TCAD シミュレーション / / / / |
| （英） | 2D channel FET / Contact resistance / Fringe field / TCAD simulation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-37, pp. 7-10, 2019年8月. | |
| 資料番号 | SDM2019-37 | |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-37 ICD2019-2 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-37 ICD2019-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2019-08-07 - 2019-08-09 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報科学院 3F A31 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TCAD analysis of the fringe-field effect on transfer characteristics of 2D channel FET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2 次元チャネルFET / 2D channel FET |
| キーワード(2)（和/英） | コンタクト抵抗 / Contact resistance |
| キーワード(3)（和/英） | フリンジ電界 / Fringe field |
| キーワード(4)（和/英） | TCAD シミュレーション / TCAD simulation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 張 文馨 / Wen Hsin Chang / Wen Hsin Chang |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 直也 / Naoya Okada / オカダ ナオヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koich Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 入沢 寿史 / Toshifumi Irisawa / イリサワ トシフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-07 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-37, ICD2019-2 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.161(SDM), no.162(ICD) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) |
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