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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-08-09 10:15 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価 ○加藤公彦（東大/産総研）・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2019-46 ICD2019-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-46 ICD2019-11 |
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| 抄録 | （和） | 酸化物半導体／IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け，膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチャネルを検討し，素子作製と電気特性評価を行った．TCADシミュレーションにより積層型TFETの閾値はチャネル厚さに強く依存することが明らかとなり，トンネル接合面内でのチャネル厚さ揺らぎは，素子のサブスレショルド特性劣化の原因となりうる．膜厚平坦性の向上のため，種々の組成及び温度でZnSnO層を堆積したところ，アモルファスZnSnOチャネルにより平坦性が大幅に向上した．その結果，サブスレショルド特性の向上を実現した．一方で，アモルファス構造に起因するtail-stateがサブスレショルド特性に強く影響することが示唆され，tail-state密度の低減が求められる． |
| （英） | We have examined impact of an amorphous ZnSnO channel layer with high thickness uniformity on electrical characteristics of a bilayer tunneling FET (TFET) with an oxide semiconductor channel (OS) and a group-IV semiconductor source. TCAD simulation revealed that the threshold voltage for band-to-band tunneling strongly varies with the OS channel thickness, indicating that the channel thickness non-uniformity could affect the sub-threshold characteristics of the bilayer TFET. In order to improve the channel thickness uniformity, we have developed the ZnSnO deposition condition to realize high thickness uniformity and have achieved the improvement of the sub-threshold characteristics with the amorphous ZnSnO channel layer. On the other hand, it has also been found that existence of tail-states related to the amorphous structure could be one of physical reasons to limit the sub-threshold characteristics of the bilayer TFETs. | |
| キーワード | （和） | 積層型 / TFET / ZnSnO / アモルファス / 平坦性 / サブスレショルド特性 / / |
| （英） | bilayer / TFET / ZnSnO / amorphous / uniformity / sub-threshold characteristics / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-46, pp. 63-66, 2019年8月. | |
| 資料番号 | SDM2019-46 | |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-46 ICD2019-11 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-46 ICD2019-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2019-08-07 - 2019-08-09 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報科学院 3F A31 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and electrical characteristics of amorphous-ZnSnO/Si bilayer tunnel FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 積層型 / bilayer |
| キーワード(2)（和/英） | TFET / TFET |
| キーワード(3)（和/英） | ZnSnO / ZnSnO |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(5)（和/英） | 平坦性 / uniformity |
| キーワード(6)（和/英） | サブスレショルド特性 / sub-threshold characteristics |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学/産業技術総合研究所 (略称： 東大/産総研) The University of Tokyo/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： Univ. of Tokyo/AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 裕章 / Hiroaki Matsui / マツイ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田畑 仁 / Hitoshi Tabata / タバタ ヒトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-09 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-46, ICD2019-11 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.161(SDM), no.162(ICD) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) |
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