講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-07 15:25
触媒反応支援CVD法におけるZnO膜への窒素ドーピング ○伊庭竜太・神林広樹・安達雄大(長岡技科大)・大石耕一郎・片桐裕則(長岡高専)・安井寛治(長岡技科大) CPM2019-47 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2019-47 |
抄録 |
(和) |
我々は、白金(Pt)ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oと有機金属ガス(DMZn)を気相中で反応させ生成したZnOプリカーサを基板に供給するCVD法を考案し、a面サファイア基板上にエピタキシャル膜の成長を試みた結果、電気的・光学的特性に優れたn型ZnO結晶膜を得た。p型結晶膜の作製を目指し様々なガスを用いてZnO膜への窒素ドーピングを試みてきたが、膜中への窒素の取り込みが充分ではない。そこで今回、一酸化炭素(NO)ガスの加熱金属触媒体(Ir)表面での分解反応により生成した窒素ラジカルを供給することで窒素ドーピングを試みた。NOガス圧力を変化させ、膜特性に与える影響について調べたので、その結果について報告する。 |
(英) |
The large bandgap and large exciton binding energy of ZnO have recently stimulated intensive research into optoelectronic device applications, such as light-emitting diodes and laser diodes in the ultraviolet region. We previously developed a new chemical vapor deposition method for ZnO film growth using a catalytic reaction over Pt-nanoparticles between hydrogen and oxygen. ZnO films grown on a-plane sapphire substrates using this method exhibited excellent optical and electronic properties. In order to fabricate ZnO-based light-emitting diodes and laser diodes, preparation of p-type ZnO films is required. In the present study, we have attempted nitrogen doping of ZnO films by decomposition of NO gas using a heated Ir wire during film growth. The amount of nitrogen incorporated in the film and its bonding structure were evaluated using secondary ion mass spectrometry and X-ray photoelectron spectroscopy. |
キーワード |
(和) |
触媒反応 / 高エネルギーH2O / 加熱Irワイア / 窒素ドーピング / / / / |
(英) |
catalytic reaction / high-temperature H2O beam / Ir hot-wire / nitrogen doping / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 271, CPM2019-47, pp. 15-19, 2019年11月. |
資料番号 |
CPM2019-47 |
発行日 |
2019-10-31 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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