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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-08 09:30 ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研）  SDM2019-74 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-74 |
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| 抄録 | （和） | ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを標準的なデバイス・シミュレーションの枠組みの中でシミュレーションする方法を提案する．この方法では，強誘電体における分極の振る舞いをLandau-Khalatnikov方程式で記述しており，これをPoisson方程式などのほかのデバイス支配方程式とともに解くことが可能になる．実際にデバイス・シミュレータに組み込み，例として強誘電体の負性容量状態を利用する負性容量トランジスタをシミュレーションする． |
| （英） | We propose a method to simulate the dynamic behavior of field-effect transistors (FETs) having ferroelectric materials in the gate stack and harnessing their ferroelectricity within the standard framework of device simulation. This method enables a device simulator to solve the Landau-Khalatnikov equation describing the behavior of the polarization in ferroelectric materials together with the other equations governing FETs such as Poisson's equation. We incorporate this method into our original homemade device simulator and realize the simulation of FETs harnessing the negative capacitance of ferroelectric materials. | |
| キーワード | （和） | 強誘電体 / 負性容量 / 電界効果トランジスタ / デバイスシミュレーション / TCAD / / / |
| （英） | ferroelectrics / negative capacitance / field-effect transistors / device simulation / TCAD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 273, SDM2019-74, pp. 27-32, 2019年11月. | |
| 資料番号 | SDM2019-74 | |
| 発行日 | 2019-10-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-74 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-11-07 - 2019-11-08 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Simulation of Dynamic Behavior of Ferroelectric Field-Effect Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectrics |
| キーワード(2)（和/英） | 負性容量 / negative capacitance |
| キーワード(3)（和/英） | 電界効果トランジスタ / field-effect transistors |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(5)（和/英） | TCAD / TCAD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池上 努 / Tsutomu Ikegami / イケガミ ツトム |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-08 09:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-74 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.273 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-10-31 (SDM) |
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