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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-08 10:50 ［招待講演］界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価 ○塩島謙次（福井大）  CPM2019-51 |
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| 抄録 | （和） | 埋もれた金属／半導体界面を非破壊で2次評価できる界面顕微光応答法を開発し、ワイドバンドギャップ半導体のショットキー接触、ヘテロ界面、MIS界面を評価した．我々のこれまでの研究成果を、(1)界面の熱劣化、(2)通電劣化、(3)プロセス損傷、(4)結晶粒界、金属粒界の影響、(5)ヘテロ界面、MIS界面への応用の観点から紹介する．これらの結果は本手法がデバイス開発において有効な評価手段であることを示唆している． |
| （英） | Scanning internal photoemission spectroscopy has been developed to map the electrical characteristics of metal/semiconductor interfaces nondestructively. Our experimental demonstrations of the mapping characterization are reviewed from the aspects of (1) thermal degradation, (2) device degradation by applying high-voltage, (3) process-induced surface damages, (4) grain boundaries of semiconductors and printed metal particles, and (5) expansion to semiconductor/ semiconductor and metal-insulator-semiconductor interfaces. This technique was confirmed to be useful for the development of the wide-bandgap-semiconductor high-power devices. | |
| キーワード | （和） | ワイドバンドギャップ半導体 / ショットキー電極 / 界面顕微光応答法 / 2次元評価 / / / / |
| （英） | wide-bandgap semiconductor / Schottky contacts / scanning internal photoemission microscopy / 2-dimentional characterization / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 271, CPM2019-51, pp. 35-38, 2019年11月. | |
| 資料番号 | CPM2019-51 | |
| 発行日 | 2019-10-31 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2019-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2019-11-07 - 2019-11-08 |
| 開催地（和） | 福井大学 文京キャンパス |
| 開催地（英） | Fukui univ. |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2019-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ワイドバンドギャップ半導体 / wide-bandgap semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー電極 / Schottky contacts |
| キーワード(3)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 2次元評価 / 2-dimentional characterization |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-08 10:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2019-51 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.271 |
| ページ範囲 | pp.35-38 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-10-31 (CPM) |
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