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| 講演名 | 2019-11-14 15:35 高調波処理を含めた二入力電力レベル最適化による高効率GaNHEMTドハティ増幅器 ○瀬下拓也・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2019-106 |
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| 抄録 | （和） | 次世代通信システムの実現に向けて，電力増幅器は更なる高効率· 高機能化が求められている．通信システムの高度化に伴い，基地局等の送信機で処理されるデジタル変調信号は従来よりも高いピーク対平均電力比(PAPR)を有する．これに対し，電力増幅器は広いダイナミックレンジで高効率増幅が求められる．ドハティ増幅器(DA) はこの問題に対する有効な解決策である．我々は，これまでにλ/4 インピーダンス変換器を用いないDA の提案を行ってきた．今回はDA で用いられるメインアンプと補助アンプの整合回路に高調波処理を加え，λ/4 インピーダンス変換器を用いないDA の高効率化を図った．試作DA は，4.7 GHz で40 dBm の飽和出力電力に対し67% の最大ドレイン効率と60% の付加電力効率となり，7-dB バックオフ条件では66% のドレイン効率と60% の付加電力効率となり，良好なバックオフ性能が得られた． |
| （英） | Further high efficiency and high functionality of power amplifier are required for the next generation wireless communication systems. With the advancement of communication systems, digitally modulated signals processed by transmitters such as base stations have higher peak-to-average power ratio (PAPR) than before. For this, power amplifiers require high-efficiency amplification over a wide dynamic power range. A Doherty power amplifier (DA) is one powerful solution for this issue. We have proposed DA without a quarter-wave transformer. We aimed at higher efficiency based on the design method of DA without a quarter-wave transformer. For this purpose, the harmonic treatments were added to the matching circuit of the main amplifier and auxiliary amplifier used in the DA, and it was designed, prototyped and evaluated. The fabricated DPA achieved a maximum drain efficiency of 67% and a maximum power-added efficiency (PAE) of 61% with a saturation output power of 40 dBm at 4.7 GHz. Furthermore, in a 7-dB back-off condition, a drain efficiency of 66% and a PAE of 60% were obtained, which were comparable to the saturated output power efficiencies and had excellent back-off performance. | |
| キーワード | （和） | ドハティ電力増幅器 / 高調波処理 / GaN HEMT / / / / / |
| （英） | Doherty power amplifier / Harmonic treatment / GaN HEMT / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 292, MW2019-106, pp. 35-39, 2019年11月. | |
| 資料番号 | MW2019-106 | |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2019-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2019-11-14 - 2019-11-15 |
| 開催地（和） | 南大東村多目的交流センター |
| 開催地（英） | Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center |
| テーマ（和） | マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2019-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高調波処理を含めた二入力電力レベル最適化による高効率GaNHEMTドハティ増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Efficiency GaN HEMT Doherty Power Amplifier Based on Two-Power-Level Impedance Optimization including Harmonic Treatment |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドハティ電力増幅器 / Doherty power amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 高調波処理 / Harmonic treatment |
| キーワード(3)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀬下 拓也 / Takuya Seshimo / セシモ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-14 15:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2019-106 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |
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