講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-15 14:15
SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 ○後藤正英(NHK)・本田悠葵(NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治(東大)・日暮栄治(産総研)・年吉 洋・平本俊郎(東大) ICD2019-38 IE2019-44 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2019-38 |
抄録 |
(和) |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの研究を進めている.これまでに,SOIウェハの直接接合技術により,画素内で入射光量に対応したパルスを発生してA/D変換を行う2層構造イメージセンサの開発を行い,その撮像動作を実証した.今回,本センサのさらなる高集積化や多機能化を可能とする多層構造の実現に向けて,3層のSOIウェハから構成されるリングオシレータおよびイメージセンサを設計し,直径5 μmのAu電極を埋め込んだ直接接合技術により試作を行った.その結果,3層のウェハが剥離なく接合していることを確認するとともに,101段リングオシレータの動作を実証することができ,将来の多層構造デバイスの実現に見通しを得た. |
(英) |
We have studied on pixel-parallel three-dimensional (3D) integrated CMOS image sensors. We previously reported double-layered image sensors by direct bonding of silicon on insulator (SOI) layers with embedded Au electrodes, which confirmed pixel-parallel video images. We have newly designed the triple-layered ring oscillator and image sensor to demonstrate the concept of the multi-layered devices which improve the resolution and enhance the functionality. The developed triple-stacked wafers are confirmed to have no voids or separation of layers even after the removal of the handle layer, thereby demonstrating the feasibility of multi-layered imaging devices for the next-generation video systems. |
キーワード |
(和) |
CMOSイメージセンサ / 3次元集積化技術 / リングオシレータ / 接合 / SOI / A/D変換回路 / / |
(英) |
CMOS image sensor / 3D integration / ring oscillator / bonding / SOI / A/D converter / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-38, pp. 45-49, 2019年11月. |
資料番号 |
ICD2019-38 |
発行日 |
2019-11-07 (ICD, IE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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