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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-21 15:50 AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 ○小田 薫・飯田涼介・岩山 章・清原一樹・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）  ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方向とパッド電極の配置方向の依存性である。m軸方向に0.4°のオフ角を有するGaN基板上にVCSELを作製する際に、パッド電極の配置方向を基板オフ方向に垂直な場合と平行な場合の2種類を用意した。それぞれ20素子以上の偏波方向を測定した結果、垂直な場合は45%の素子において、平行な場合は67%の素子において基板オフ方向と偏波方向が一致した。全数でも半数以上の素子の偏波方向が基板オフ方向と一致することから、わずかな基板オフ角であっても、ある程度偏波方向が制御されることが分かった。 |
| （英） | In this study, we investigated polarization characteristics of GaN-based VCSELs. In particular, dependences of substrate off-direction and electrode arrangement direction on the polarization direction were investigated. We fabricated two types of VCSELs grown on GaN substrates with 0.4o off-angle towards m-axis direction. One was a perpendicular case and the other was a parallel case in a relation between the substrate off-direction and the electrode arrangement direction. We measured polarization directions of more than 20 VCSELs in each case. As a result, 45% VCSELs in the perpendicular case and 67% VCSELs in the parallel case showed that the polarization direction corresponded to the substrate off-direction. In other words, total more than 60% VCSEL showed such a polarization direction, suggesting that the substrate off-direction even with the slight off-angle determined the polarization direction to some extent. | |
| キーワード | （和） | 面発光レーザー / 偏波 / 基板オフ方向 / / / / / |
| （英） | GaN / VCSEL / polarization / off-direction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-89, pp. 57-60, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-89 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization characteristics in GaN-based vertical cavity surface emitting laser with AlInN/GaN distribution bragg reflectors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 面発光レーザー / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 偏波 / VCSEL |
| キーワード(3)（和/英） | 基板オフ方向 / polarization |
| キーワード(4)（和/英） | / off-direction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 薫 / Kaoru Oda / オダ カオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯田 涼介 / Ryosuke Iida / イイダ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 章 / Sho Iwayama / イワヤマ ショウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清原 一樹 / Kazuki Kiyohara / キヨハラ カズキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuci / タケウチ テツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大学 (略称： 名城大/名大) Meijo University/Nagoya University (略称： Meijo Univ./Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-21 15:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2019-46, CPM2019-65, LQE2019-89 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.57-60 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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