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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-21 15:30 c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大）  ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
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| 抄録 | （和） | 可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテンプレート上に150nmを超える四元AlxGayInzN膜(0.532 ≤ x ≤ 0.716, 0.146 ≤ y ≤ 0.366, 0.092 ≤ z ≤ 0.182)を成長した。サファイア上のGaNに格子整合する合金組成に近いAlGaInN膜はエピタキシャルに成長していることが確認され、格子歪みの強さとその方向に関係なく比較的平坦な表面を示した。AlGaInN膜の結晶品質は、下地GaN膜の結晶品質を引き継いでいることが観察された。またその屈折率は可視波長域で約2.3~2.4の範囲であり、その合金組成にはほとんど依存しない結果となった。分光エリプソメトリー(SE)とフォトルミネッセンス(PL)測定結果より、MOCVD成長したAlGaInN膜は吸収端波長に影響を与えるほどの組成変動があることが示された。 |
| （英） | Quaternary AlGaInN films with thickness greater than 150 nm are grown on c-plane GaN-on-sapphire templates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The AlxGayInzN films near alloy composition lattice‐matching to GaN on sapphire (0.532 ≤ x ≤ 0.716, 0.146 ≤ y ≤ 0.366, and 0.092 ≤ z ≤ 0.182) are confirmed to be epitaxially grown, and they show relatively flat surfaces regardless of their lattice strain and their direction. The crystal mosaicity in the AlGaInN films is observed to take over that of the underlying GaN films. The refractive index of AlGaInN films ranges from ≈2.4 to 2.3 in the whole visible wavelengths, largely independent of their alloy compositions. Spectroscopic ellipsometry and photoluminescence analyses indicate that the MOCVD-grown AlGaInN films have a certain degree of compositional fluctuation affecting their optical band edges. | |
| キーワード | （和） | AlGaInN / AlGaInN/GaN構造 / MOCVD / / / / / |
| （英） | AlGaInN / AlGaInN/GaN structure / MOCVD / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-88, pp. 53-56, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-88 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth, crystal and optical characterization of quaternary AlGaInN epitaxial films lattice-matched to c-plane GaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaInN/GaN構造 / AlGaInN/GaN structure |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 紘希 / Hiroki Harada / ハラダ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-21 15:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2019-45, CPM2019-64, LQE2019-88 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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