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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-22 12:45 DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展 ○最上耀介（理研/埼玉大）・大澤篤史・尾崎一人・谷岡千丈・前岡淳史（SCREEN）・糸数雄吏・桑葉俊輔（理研/埼玉大）・定 昌史・前田哲利（理研）・矢口裕之（埼玉大）・平山秀樹（理研）  ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96 |
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| 抄録 | （和） | 殺菌，浄水など幅広い用途への応用をもつAlGaN系UVC-LED作製には高品質なAlN基板，もしくはテンプレートが必要である．最近，RFスパッタ法と高温アニール法を併用することにより低コスト・高品質のAlNテンプレート実現への道が拓かれた[1]．これに関し，我々は高いスループットを有し生産性に優れたDCスパッタ法の可能性について検討している．今回，高い結晶性と表面平坦性を両立するDCスパッタAlNテンプレートを作製し，それを用いた外部量子効率1.4%のUVC-LEDを実現したので報告する． |
| （英） | A high-quality AlN substrate or template is required to realize AlGaN-based UVC-LEDs which has a wide range of applications such as sterilization, water purification and in medical field. Recently, the combination of RF sputtering and high temperature annealing technique has paved the way to the realization of low-cost, high-quality AlN templates on sapphire substrate[1]. We are demonstrating the possibility of DC sputtering technique for fabricating an AlN template with high throughput and excellent productivity. In this report, we fabricated a DC sputtered AlN template that achieves both low threading dislocation density and high surface flatness, and realized a UVC-LED with an external quantum efficiency of 1.4%. | |
| キーワード | （和） | UVC-LED / AlN / AlGaN / スパッタ / ＭＯＣＶＤ / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-96, pp. 85-88, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-96 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Progress of UVC-LEDs using DC sputter AlN templates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | UVC-LED / |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタ / |
| キーワード(5)（和/英） | ＭＯＣＶＤ / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 最上 耀介 / Yosuke Mogami / モガミ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学 (略称： 理研/埼玉大) The Institute of Physical and Chemical Research/Saitama University (略称： RIKEN/Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大澤 篤史 / Atsushi Osawa / オオサワ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社SCREENファインテックソリューションズ (略称： SCREEN) SCREEN Finetech Solutions Co., Ltd. (略称： SCREEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 一人 / Kazuto Ozaki / オザキ カズト |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社SCREENファインテックソリューションズ (略称： SCREEN) SCREEN Finetech Solutions Co., Ltd. (略称： SCREEN) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷岡 千丈 / Yukitake Tanioka / ユキタケ タニオカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社SCREENファインテックソリューションズ (略称： SCREEN) SCREEN Finetech Solutions Co., Ltd. (略称： SCREEN) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前岡 淳史 / Atsushi Maeoka / マエオカ アツシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社SCREENファインテックソリューションズ (略称： SCREEN) SCREEN Finetech Solutions Co., Ltd. (略称： SCREEN) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 糸数 雄吏 / Yuri Itokazu / イトカズ ユウリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学 (略称： 理研/埼玉大) The Institute of Physical and Chemical Research/Saitama University (略称： RIKEN/Saitama Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桑葉 俊輔 / Syunsuke Kuwaba / |
| 第7著者 所属（和/英） | 理化学研究所/埼玉大学 (略称： 理研/埼玉大) The Institute of Physical and Chemical Research/Saitama University (略称： RIKEN/Saitama Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 定 昌史 / Masafumi Jo / ジョウ マサフミ |
| 第8著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) The Institute of Physical and Chemical Research (略称： RIKEN) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 哲利 / Noritoshi Maeda / マエダ ノリトシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) The Institute of Physical and Chemical Research (略称： RIKEN) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢口 裕之 / Hiroyuki Yaguchi / ヤグチ ヒロユキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第11著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) The Institute of Physical and Chemical Research (略称： RIKEN) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-22 12:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2019-53, CPM2019-72, LQE2019-96 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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