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| 講演名 | 2019-11-26 09:20 IGBT駆動用可変電圧源に関する基礎的考察 ○浦 千人・石塚洋一（長崎大）  EE2019-36 CPM2019-78 OME2019-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2019-78 OME2019-22 |
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| 抄録 | （和） | 高電力・高電圧変換器は，産業や自動車用途などで幅広く使用されており，内部のスイッチングデバイスとしては，絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）が現在でも主流として採用されている。本稿では，DC-DCコンバータによって生成された電圧をIGBTゲート駆動回路の電圧源として使用する回路を提案する。駆動電源を制御し，IGBTの駆動に発生する電圧サージと逆回復電流を抑制することにより，IGBTの信頼性や電磁妨害(EMI)低減の向上を目的とする。シミュレーションおよび実験により，IGBTのゲート駆動波形の制御可否について確認を行う。 |
| （英） | High-power / high-voltage converters are used in housings for industrial and automotive applications, and insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are still the mainstream today as internal switching devices. In this paper, we propose a circuit that uses the voltage generated by the DC-DC converter as the voltage source of the IGBT gate drive circuit. The purpose is to improve IGBT reliability and electromagnetic interference (EMI) reduction by controlling the drive power supply and suppressing the voltage surge and reverse recovery current generated in driving the IGBT. It is confirmed whether or not the gate drive waveform of the IGBT can be controlled by simulation and experiment. | |
| キーワード | （和） | IGBT / GaN / ゲートドライブ回路 / スイッチング特性 / ダブルパルステスト / / / |
| （英） | IGBT / GaN / Gate Drive / Switching Characteristic / Double Pulse Test / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 309, EE2019-36, pp. 1-6, 2019年11月. | |
| 資料番号 | EE2019-36 | |
| 発行日 | 2019-11-19 (EE, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2019-36 CPM2019-78 OME2019-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2019-78 OME2019-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE OME CPM |
| 開催期間 | 2019-11-26 - 2019-11-26 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階1号室 |
| 開催地（英） | Japan Society for the Promotiton of Machine Industry |
| テーマ（和） | エネルギー技術、半導体電力変換、電池、電気化学デバイス、材料、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2019-11-EE-OME-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | IGBT駆動用可変電圧源に関する基礎的考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Feasibility Study of Variable Voltage Sources for IGBT Drive Circuits |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートドライブ回路 / Gate Drive |
| キーワード(4)（和/英） | スイッチング特性 / Switching Characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | ダブルパルステスト / Double Pulse Test |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦 千人 / Kazuto Ura / ウラ カズト |
| 第1著者 所属（和/英） | 長崎大学 (略称： 長崎大) Nagasaki University (略称： Nagasaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石塚 洋一 / Yoichi Ishizuka / イシヅカ ヨウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長崎大学 (略称： 長崎大) Nagasaki University (略称： Nagasaki Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-26 09:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2019-36, CPM2019-78, OME2019-22 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.309(EE), no.310(CPM), no.311(OME) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-19 (EE, CPM, OME) |
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