講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-12-23 16:45
歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也(東京理科大)・渡邊一世(NICT/東京理科大)・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史(NICT)・遠藤 聡・藤代博記(東京理科大) ED2019-83 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-83 |
抄録 |
(和) |
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製したAl0.25In0.75Sb/InSb HEMTと比較し,歪みAl0.40In0.60Sb/ Al0.25In0.75Sbステップバッファを導入し,高Al組成のAl0.40In0.60Sbバリアを用いた新しい構造によって,比較的高い電子移動度を維持したままシートキャリア濃度を増加させることが出来た.その結果,GaInSb n-チャネルHEMTについて,ゲート長Lg = 40 nmの場合に遮断周波数fT = 214 GHz,Lg = 200 nmの場合に最大発振周波数fmax = 179 GHzが得られた.更に本構造によって,ゲートリーク電流を低減させることにも成功した. |
(英) |
We succeeded in fabricating GaInSb n-channel HEMTs for the first time in the world and measured their characteristics. We used strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb stepped buffer and AlInSb barrier layer with high Al content. As a result, the sheet electron density NS increases while keeping relatively high electron mobility µ compared with the Al0.25In0.75Sb/InSb HEMT which we fabricated previously. We obtained a cutoff frequency fT of 214 GHz for the 40-nm-gate HEMT and a maximum oscillation frequency fmax of 179 GHz for the 200-nm-gate HEMT. Furthermore, this novel GaInSb HEMT structure contributes to the reduction of gate leakage current as well as the increase of NS. |
キーワード |
(和) |
高電子移動度トランジスタ / HEMT / GaInSb / InSb / 量子井戸 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 / |
(英) |
High Electron Mobility Transistor / HEMT / GaInSb / InSb / Quantum well / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 353, ED2019-83, pp. 29-32, 2019年12月. |
資料番号 |
ED2019-83 |
発行日 |
2019-12-16 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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