| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-02-07 10:10 ［招待講演］CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性 ○河瀬康弘・柴田俊明・草野智博（三菱ケミカル）・原田 憲（imec）・竹下 寛（三菱ケミカル）  SDM2019-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-90 |
|
| 抄録 | （和） | 現在、最先端の半導体デバイスにおいては12層以上の銅配線が形成されており、各層毎に銅めっき膜形成とCMP（Chemical Mechanical Polishing）による平坦化が施されている。銅配線の微細化進行に伴いCMP及びCMP洗浄後を実施した後に24時間程度経過すると、経時により銅細線上に銅酸化物の異常成長が認められた。本発表でデバイス製造における銅配線の形成工程において、CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性について報告する。 |
| （英） | At present, more than 12 Cu interconnect layers have been formed in advanced semiconductor devices and each layer is plated by Cu and it is planarized by CMP (Chemical Mechanical Polishing). About 24 hours after performing CMP and after post CMP cleaning with the progress of miniaturization of copper interconnect, extraordinary growth of copper oxide on copper fine interconnect began to be recognized over time. In this paper, we will report on the stability of copper interconnect surface after post CMP cleaning in device manufacturing. | |
| キーワード | （和） | CMP / CMP後洗浄 / 異常成長 / SERA / KFM / / / |
| （英） | CMP / post CMP Cleaning / Extraordinary Growth / SERA / KFM / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 410, SDM2019-90, pp. 9-14, 2020年2月. | |
| 資料番号 | SDM2019-90 | |
| 発行日 | 2020-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-90 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-90 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2020-02-07 - 2020-02-07 |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) |
| 開催地（英） | Tokyo University-Hongo |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2020-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stability of Cu Interconnect Surface after post CMP Cleaning |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMP / CMP |
| キーワード(2)（和/英） | CMP後洗浄 / post CMP Cleaning |
| キーワード(3)（和/英） | 異常成長 / Extraordinary Growth |
| キーワード(4)（和/英） | SERA / SERA |
| キーワード(5)（和/英） | KFM / KFM |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河瀬 康弘 / Yasuhiro Kawase / カワセ ヤスヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱ケミカル株式会社 (略称： 三菱ケミカル) Mitsubishi Chemical Corporation (略称： MCC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 俊明 / Toshiaki Shibata / シバタ トシアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱ケミカル株式会社 (略称： 三菱ケミカル) Mitsubishi Chemical Corporation (略称： MCC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草野 智博 / Tomohiro Kusano / クサノ トモヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱ケミカル株式会社 (略称： 三菱ケミカル) Mitsubishi Chemical Corporation (略称： MCC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 憲 / Ken Harada / ハラダ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | Interuniversity Microelectronics Centre (略称： imec) Interuniversity Microelectronics Centre (略称： imec) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹下 寛 / Kan Takeshita / タケシタ カン |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱ケミカル株式会社 (略称： 三菱ケミカル) Mitsubishi Chemical Corporation (略称： MCC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-02-07 10:10:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-90 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.410 |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-01-31 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]