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講演抄録/キーワード
講演名
2020-02-07 09:35
[招待講演]強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
○
山口 直
・
前川径一
・
大原隆裕
・
天羽生 淳
・
佃 栄次
・
園田賢一郎
・
柳田博史
・
井上真雄
・
松浦正純
・
山下朋弘
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2019-89
エレソ技報アーカイブへのリンク:
SDM2019-89
抄録
(和)
(まだ登録されていません)
(英)
(Not available yet)
キーワード
(和)
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(英)
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文献情報
信学技報, vol. 119, no. 410, SDM2019-89, pp. 5-8, 2020年2月.
資料番号
SDM2019-89
発行日
2020-01-31 (SDM)
ISSN
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード
SDM2019-89
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SDM2019-89
研究会情報
研究会
SDM
開催期間
2020-02-07 - 2020-02-07
開催地(和)
東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室)
開催地(英)
Tokyo University-Hongo
テーマ(和)
配線・実装技術と関連材料技術
テーマ(英)
講演論文情報の詳細
申込み研究会
SDM
会議コード
2020-02-SDM
本文の言語
日本語
タイトル(和)
強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英)
/
キーワード(2)(和/英)
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キーワード(3)(和/英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(5)(和/英)
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キーワード(6)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
/
第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
山口 直
/
Tadashi Yamaguchi
/
ヤマグチ タダシ
第1著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
前川 径一
/
Keiichi Maekawa
/
マエカワ ケイイチ
第2著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
大原 隆裕
/
Takahiro Ohara
/
オオハラ タカヒロ
第3著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
天羽生 淳
/
Atsushi Amo
/
アモウ アツシ
第4著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
佃 栄次
/
Eiji Tsukuda
/
ツクダ エイジ
第5著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
園田 賢一郎
/
Kenichiro Sonoda
/
ソノダ ケンイチロウ
第6著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
柳田 博史
/
Hiroshi Yanagita
/
ヤナギタ ヒロシ
第7著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
井上 真雄
/
Masao Inoue
/
イノウエ マサオ
第8著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
松浦 正純
/
Masazumi Matsuura
/
マツウラ マサズミ
第9著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
山下 朋弘
/
Tomohiro Yamashita
/
ヤマシタ トモヒロ
第10著者 所属(和/英)
ルネサスエレクトロニクス株式会社
(略称:
ルネサス エレクトロニクス
)
Renesas Electronics Corp.
(略称:
Renesas
)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第11著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第12著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第13著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第14著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第15著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第16著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第17著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第18著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第19著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
/ /
第20著者 所属(和/英)
(略称: )
(略称: )
講演者
第1著者
発表日時
2020-02-07 09:35:00
発表時間
35分
申込先研究会
SDM
資料番号
SDM2019-89
巻番号(vol)
vol.119
号番号(no)
no.410
ページ範囲
pp.5-8
ページ数
4
発行日
2020-01-31 (SDM)
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