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| 講演名 | 2020-05-28 13:30 ［招待講演］Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術 ○堤 卓也・杉山弘樹・濱田裕史・野坂秀之・松崎英昭（NTT）  MWP2020-1 |
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| 抄録 | （和） | あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム（5G）の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展している．Beyond 5G においては搬送波の高周波化による伝送帯域の拡大が想定されており，その周波数帯の候補の一つとして300 GHz 帯が検討されている．本報告では，300 GHz 帯サブミリ波の通信応用に有望と考えられるInP 系高電子移動度トランジスタ（InP-based high mobility electron transistor: InP-HEMT），およびそのサブミリ波IC（Sub-millimeter-wave monolithic IC: SMMIC）について俯瞰する．さらに開発したInP-HEMT-SMMIC を用い，300 GHz 帯の電子デバイスベースのトランシーバとしては世界最高速となるデータレート120 Gb/s，伝送距離9.8 m を達成した無線伝送実験結果について紹介する． |
| （英） | The 300-GHz sub-millimeter-wave band is one of the candidate frequency for “Beyond 5G” networks to meet rapidly increasing traffic demands. InP-based Sub-millimeter-wave monolithic ICs (SMMICs) have attracted much attention for applying Beyond 5G because InP-based high electron mobility transistors (InP-HEMTs) feature superior RF characteristics. This paper briefly reviews fundamental physical demands and reports InP-HEMTs and wafer-level backside process technology. We also show a world-record-class 120-Gb/s wireless transmission with the distance of 9.8 m by using InP-HEMT-SMMIC modules with 300-GHz band. | |
| キーワード | （和） | Beyond 5G / サブミリ波IC / インジウム燐 / 高電子移動度電界効果トランジスタ / ウェハレベル裏面配線プロセス / 裏面配線 / / |
| （英） | Beyond 5G / Sub-millimeter-wave monolithic ICs / Indium phosphide / High electron mobility transistors / Wafer-level backside process / backside lines / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 44, MWP2020-1, pp. 1-6, 2020年5月. | |
| 資料番号 | MWP2020-1 | |
| 発行日 | 2020-05-21 (MWP) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MWP2020-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWP |
| 開催期間 | 2020-05-28 - 2020-05-28 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | モバイル |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MWP |
| 会議コード | 2020-05-MWP |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication Process of InP-HEMT-based Sub-millimeter Wave ICs for Beyond 5G Application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Beyond 5G / Beyond 5G |
| キーワード(2)（和/英） | サブミリ波IC / Sub-millimeter-wave monolithic ICs |
| キーワード(3)（和/英） | インジウム燐 / Indium phosphide |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度電界効果トランジスタ / High electron mobility transistors |
| キーワード(5)（和/英） | ウェハレベル裏面配線プロセス / Wafer-level backside process |
| キーワード(6)（和/英） | 裏面配線 / backside lines |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi / ツツミ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 裕史 / Hiroshi Hamada / ハマダ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野坂 秀之 / Hideyuki Nosaka / ノサカ ヒデユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 英昭 / Hideaki Matsuzaki / マツザキ ヒデアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) NTT Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-05-28 13:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | MWP |
| 資料番号 | MWP2020-1 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.44 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-05-21 (MWP) |
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