| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-10-29 14:00 極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム ○武山真弓（北見工大）・安田光伸（東レリサーチセンター）・佐藤 勝（北見工大）  CPM2020-14 |
|
| 抄録 | （和） | Si-LSIにおけるCu配線あるいは3次元LSIにおけるTSVなどの配線は、高い信頼性を持つ配線を形成するためにエレクトロマイグレーション耐性に優れたCu(111)面を高配向成長させることが切望されている。しかし、そのような下地材料は材料選択性に乏しく、かつある程度厚い膜厚が必要なため、微細化した配線ではその実現が困難とされてきた。我々は3元合金バリヤを用いて、格子定数を制御することにより、極薄バリヤ上にCu(111)配向を実現することができないかを検討してきた。本研究では、初めて5nmという極薄バリヤの構造解析に成功し、かつCu(111)配向を得るメカニズムの一端を明らかにすることができた。極薄バリヤはCu(111)と格子ミスマッチが0.059％という理想的な格子整合をとるTaWN(111)配向が得られたことで、Cu(111)配向を実現することが可能となった。この詳細を報告する。 |
| （英） | In Si-LSI and/or 3D-LSI technology, it is strongly desired to obtain Cu(111) orientation with excellent electromigration resistance to achieve high performance Cu interconnects. However, an underlying material with Cu(111) orientation control is poor material selectivity and requires a thick film thickness, so that it has been difficult to realize it with nano-scaled interconnects. We have examined whether Cu(111) orientation can be achieved on an extremely thin barrier by controlling the lattice constant of the barrier. In this study, we succeeded in structural analysis of an extremely thin barrier, which was difficult so far, and were able to clarify some of the mechanism for obtaining Cu(111) orientation. The extremely TaWN barrier with the (111) orientation that provides good lattice matching with Cu(111) with a lattice mismatch of 0.059%. We can successfully demonstrate a preferential orientation of Cu(111) on the 5-nm-thick TaWN barrier. | |
| キーワード | （和） | LSI / 3次元集積回路 / Cu(111)配向 / 拡散バリヤ / TaWN膜 / 下地材料 / / |
| （英） | LSI / 3D-LSI / Cu(111) orientation / diffusion barrier / TaWN film / underlying material / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 217, CPM2020-14, pp. 11-14, 2020年10月. | |
| 資料番号 | CPM2020-14 | |
| 発行日 | 2020-10-22 (CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2020-14 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2020-10-29 - 2020-10-29 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2020-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄バリヤ上のCu(111)配向メカニズム |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mechanism of Cu(111) orientation control on extremely thin barrier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元集積回路 / 3D-LSI |
| キーワード(3)（和/英） | Cu(111)配向 / Cu(111) orientation |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散バリヤ / diffusion barrier |
| キーワード(5)（和/英） | TaWN膜 / TaWN film |
| キーワード(6)（和/英） | 下地材料 / underlying material |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama / タケヤマ マユミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst.& Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 光伸 / Mitsunobu Yasuda / ヤスダ ミツノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東レリサーチセンター (略称： 東レリサーチセンター) Toray Research Center. (略称： Toray Research Center.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 勝 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第3著者 所属（和/英） | 北見工業大学 (略称： 北見工大) Kitami Institute of Technology (略称： Kitami Inst.& Technol.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-10-29 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2020-14 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.217 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-10-22 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]