講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-11-05 15:45
AlNとScAlNにおける非線形性に起因するDCバイアス時の周波数シフトおよび格子ひずみの比較 ○五月女 巧・柳谷隆彦(早大) US2020-49 |
抄録 |
(和) |
移動体通信では大電力化していく傾向にあり、BAWフィルタへの大電力信号の投入は、二次高調波 (H2) 発生 (Second Harmonic Generation)などの不要な非線形信号を発生させる。BAWフィルタにDCバイアスを印加した際の共振周波数の変化は、非線形信号の発生と関連していることが知られている。一方、DCバイアスを印加すると圧電効果によって、圧電体は伸縮し、結晶の格子ひずみが生じると共に弾性定数が変化する。本研究では、ブラッグ反射器上のAlNおよびScAlN薄膜に対してDCバイアス電界を印加した際の非線形性に起因する周波数シフトおよび逆誘電率変化を測定した。さらに、DCバイアス印加時の圧電薄膜の格子ひずみをX線回折法により測定した。 |
(英) |
Mobile communication device requires high power operation. Nonlinear signals such as second harmonic (H2) generation (SHG) is not negligible for recent BAW filter applications. It is well known that the change of resonant frequency during DC bias voltage application is related to SHG. Also, the DC voltage application induces the change of lattice strains and elastic stiffness in piezoelectric crystals. In this study, we estimated the change of resonant frequency and inverse dielectric constants during DC bias voltage application in the AlN and ScAlN SMR. Moreover, we investigated the change of lattice strain under DC bias using XRD. |
キーワード |
(和) |
ScAlN / 音響多層膜 / 格子ひずみ / DCバイアス / XRD / 2次高調波 / / |
(英) |
ScAlN / SMR / latiice strain / DC bias / XRD / H2 / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 222, US2020-49, pp. 34-39, 2020年11月. |
資料番号 |
US2020-49 |
発行日 |
2020-10-29 (US) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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US2020-49 |