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| 講演名 | 2020-11-05 13:00 低圧スパッタ成膜で増大する負イオン照射がScAlN薄膜の結晶性と圧電性に及ぼす影響 ○冨永卓海・髙柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）  US2020-43 |
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| 抄録 | （和） | ScAlN薄膜は，AlN 薄膜よりも非常に大きな圧電性を有すことから，弾性波デバイスへの応用が期待されている．ScAlNの薄膜化にはスパッタ法が広く用いられている．我々はこれまでに，ScAlNのスパッタ成膜において，ターゲットとして用いるSc金属塊の不純物がO⁻やCN⁻等の負イオンとなって基板に照射され，薄膜の品質劣化が生じることを明らかにしてきた．一般に，低圧環境下でスパッタ成膜を行うと，スパッタされた粒子の散乱や熱化が減少し，高品質な薄膜が得られる．しかし，酸化物のスパッタ成膜では，O⁻等の負イオンが低圧環境下で増大し，c軸配向膜の劣化が引き起こされると判っている．本研究では，このような負イオン照射が低圧スパッタ成膜で増大し，ScAlN薄膜の結晶性と圧電性の大幅な劣化を引き起こすことについて報告する． |
| （英） | Since the ScAlN film has much higher piezoelectric response than the AlN film, it is expected to be applied to BAW devices. Sputtering method is widely used for ScAlN films deposition. We have previously shown that impurities in the Sc ingots lead negative ion bombardment to the substrate, which deteriorates quality of ScAlN films. Generally, sputtering deposition at low pressure improves the film quality because scattering and thermalization of sputtered particles are reduced. However, it is known that negative ion bombardment increasing at low pressure deteriorate the c-axis orientated in sputtering deposition of ZnO. In this study, we have demonstrated that crystallinity and piezoelectric property of ScAlN film are deteriorated by the negative ion bombardment increased in low-pressure sputtering deposition. | |
| キーワード | （和） | ScAlN / 圧電薄膜 / 負イオン照射 / スパッタ成膜 / / / / |
| （英） | ScAlN / Piezoelectric thin film / Negative ion bombardment / Sputtering deposition / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 222, US2020-43, pp. 1-6, 2020年11月. | |
| 資料番号 | US2020-43 | |
| 発行日 | 2020-10-29 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2020-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2020-11-05 - 2020-11-05 |
| 開催地（和） | 愛知工業大学 八草キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2020-11-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低圧スパッタ成膜で増大する負イオン照射がScAlN薄膜の結晶性と圧電性に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of negative ion bombardment increased in low-pressure sputtering deposition on crystallinity and piezoelectric property of ScAlN thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ScAlN / ScAlN |
| キーワード(2)（和/英） | 圧電薄膜 / Piezoelectric thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 負イオン照射 / Negative ion bombardment |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタ成膜 / Sputtering deposition |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨永 卓海 / Takumi Tominaga / トミナガ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-05 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2020-43 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.222 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-10-29 (US) |
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