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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-26 15:00 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 ○白土達也・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大）  ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80 nmのGaN薄膜を成長させ，キャリアガスが表面モフォロジーへ与える影響を調べた．結果，H2キャリアガスで成長させたGaN表面には，成長初期の顕著な三次元成長を反映してバンチングしたステップテラス構造とピットが形成された．一方，N2キャリアガスで成長させた場合は過飽和度の上昇に伴いGaNの堆積反応が促進され，平坦性の高い表面モフォロジーが得られた．表面平坦性良好なN2キャリアガスGaN上にAlGaNバリア層，GaNキャップ層を積層し，Hall効果測定によってHall移動度とキャリア濃度を評価した．結果，最も良い移動度として770 cm2 V-1s-1が得られた． |
| （英） | We investigated the effect of carrier gas on GaN surface morphology. Bunched step-and-terrace structures and pits were formed on the GaN surface grown with H2 carrier gas, reflecting the 3D growth in the initial stage. Meanwhile, relatively flat surface was achieved with N2 carrier gas, since the deposition reaction of GaN was promoted according to the increase of the supersaturation. Furthermore, on the GaN which was grown under N2 carrier gas and has a flat surface morphology, the AlGaN barrier layer and GaN cap layer were sequentially stacked. Then, Hall mobility and carrier concentration were evaluated by Hall effect measurement. As a result, 770 cm2 V-1s-1 was obtained as the highest value. | |
| キーワード | （和） | GaN / 有機金属気相成長法 / キャリアガス / 2DEG / 電子移動度 / / / |
| （英） | GaN / MOVPE / Carrier gas / 2DEG / Electron mobility / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 254, ED2020-11, pp. 41-44, 2020年11月. | |
| 資料番号 | ED2020-11 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN on AlN template with atomic-level flatness for High Electron Mobility Transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | キャリアガス / Carrier gas |
| キーワード(4)（和/英） | 2DEG / 2DEG |
| キーワード(5)（和/英） | 電子移動度 / Electron mobility |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白土 達也 / Tatsuya Shirato / シラト タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi / ウエスギ ケンジロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 窪谷 茂幸 / Shigeyuki Kuboya / クボヤ シゲユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 正直 花奈子 / Kanako Shojiki / ショウジキ カナコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 15:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2020-11, CPM2020-32, LQE2020-62 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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