お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 須原 理彦 (都立大)
副委員長 藤代 博記 (東京理科大)
幹事 岩田 達哉 (富山県立大), 小谷 淳二 (富士通研)
幹事補佐 堤 卓也 (NTT)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 武山 真弓 (北見工大)
副委員長 中村 雄一 (豊橋技科大)
幹事 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 寺迫 智昭 (愛媛大), 廣瀬 文彦 (山形大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 八坂 洋 (東北大)
副委員長 梅沢 俊匡 (NICT)
幹事 永井 正也 (阪大), 瀬川 徹 (NTT)
幹事補佐 藤田 和上 (浜松ホトニクス), 西山 伸彦 (東工大)

日時 2020年11月26日(木) 10:00 - 16:10
2020年11月27日(金) 10:30 - 16:20
議題 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 オンライン 
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(LQE研究会, CPM研究会, ED研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月26日(木) 午前 
座長: 藤田和上(浜松ホトニクス)/山口 敦史(金沢工業大学)
10:00 - 12:15
  10:00-10:05 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:25 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定 ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52 森 恵人高橋佑知坂井繁太森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニー
(2) 10:25-10:45 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性 ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 山口拓海有賀恭介森 恵人山口敦史金沢工大
(3) 10:45-11:05 AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出 ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54 佐藤恒輔旭化成)・大森智也山田和輝田中隼也石塚彩花手良村昌平岩山 章岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大)・竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
(4) 11:15-11:35 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大
(5) 11:35-11:55 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大
(6) 11:55-12:15 エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価 ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57 石井良太京大)・吉川 陽永瀬和宏旭化成)・船戸 充川上養一京大
11月26日(木) 午後 
座長: 岩田達哉(富山県立大)/久保 俊晴(名古屋工業大学)
13:30 - 16:10
(7) 13:30-13:50 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 井上暁喜原田紘希山中瑞樹江川孝志三好実人名工大
(8) 13:50-14:10 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 横井駿一久保俊晴江川孝志名工大
(9) 14:10-14:30 界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価 ~ n形とp形の比較 ~ ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60 松田 陵福井大)・堀切文正成田好伸吉田丈洋福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(10) 14:40-15:00 Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61 川角優斗安井悠人福井大)・柏木行康玉井聡行阪産技研)・塩島謙次福井大
(11) 15:00-15:20 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大
  15:20-15:30 休憩 ( 10分 )
(12) 15:30-15:50 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 神谷俊佑西谷高至松田 悠高野 望ジョエル タクラ アスバル徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大
(13) 15:50-16:10 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大
11月27日(金) 午前 
座長: 中村雄一(豊橋技科大)
10:30 - 12:00
(14) 10:30-10:50 CBD法によるMgZnOナノロッドの成長とUV光検出器応用 ED2020-14 CPM2020-35 LQE2020-65 濱本昂大金丸陸斗寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
(15) 10:50-11:10 生体電気インピーダンス法を用いた日本酒の評価方法の基礎的検討 ED2020-15 CPM2020-36 LQE2020-66 梶原朋也佐藤 勝武山真弓北見工大
  11:10-11:20 休憩 ( 10分 )
(16) 11:20-11:40 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 バラトフ アリ小澤渉至山下隼平アスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大
(17) 11:40-12:00 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合UV光検出器の時間応答特性 ED2020-17 CPM2020-38 LQE2020-68 山田健太寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
11月27日(金) 午後 
座長: 定昌史(理化学研究所)/川口 真生(パナソニック)/永井正也(大阪大学)
13:00 - 16:20
(18) 13:00-13:20 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 田先美貴子清原一樹小田原麻人伊藤太一竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名大
(19) 13:20-13:40 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 宮本義也曽根直樹Weifang Lu奥田廉士伊藤和真奥野浩司飯田一喜上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大
(20) 13:40-14:00 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 田中隼也名城大)・佐藤恒輔旭化成)・安江信次荻野雄矢山田和輝石塚彩花大森智也手良村昌平岩山 章名城大)・三宅秀人三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大
  14:00-14:10 休憩 ( 10分 )
(21) 14:10-14:30 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 上向井正裕樋口晃大谷川智之片山竜二阪大
(22) 14:30-14:50 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73 形岡遼志小泉晴比古岩山 章三宅秀人三重大
(23) 14:50-15:10 AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の内部量子効率と励起子系誘導放出特性 ED2020-23 CPM2020-44 LQE2020-74 室谷英彰徳山高専)・田邊凌平久永桂典濱田 晟別府寛太山口大)・前田哲利M. Ajmal Khan定 昌史平山秀樹理研)・山田陽一山口大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(24) 15:20-15:40 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大
(25) 15:40-16:00 プラズモニックナノ共振器による高効率発光と量子デバイスへの応用 ED2020-25 CPM2020-46 LQE2020-76 岡本晃一垣内晴也島ノ江考平村尾文弥松山哲也和田健司阪府大)・船戸 充川上養一京大
(26) 16:00-16:20 AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入 ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77 稲森崇文窪谷茂幸石原頌也白土達也上杉謙次郎正直花奈子三宅秀人三重大
  16:20-16:25 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u
岩田 達哉(富山県立大学)
TEL: 0766-56-7500
E-: t_ipu- 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 中澤日出樹(弘前大学)
TEL&FAX 0172-39-3557
E-: h-u 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 永井 正也(大阪大学大学院)
TEL 06-6850-6507
E-: mimpes-u 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2020-11-19 13:01:34


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