| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-26 13:30 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET ○井上暁喜・原田紘希・山中瑞樹・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 |
|
| 抄録 | （和） | 四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルMIS-HFETを作製した。オーミックコンタクト層は局所的なリセスエッチングとそれに続く有機金属化学気相成長法(MOCVD)による高濃度Siドープn+-GaN層の再成長プロセスからなる選択再成長(SAG)技術により形成した。SAGコンタクト層を採用することにより，コンタクト抵抗は10.5 Ωmmから2.5Ωmmと大幅に減少した。また、作製したMIS-HFETは，ON状態のデバイス性能が大幅に向上し、優れたピンチオフ特性を示した。ゲート長が1.5 µm及びドレイン-ソース間距離が9.5 µmのデバイスは、約300 mAmm-1以上の高いドレイン電流密度を示し、ドレイン-ソース間抵抗は約25 Ω mmであった。さらに、ゲート-ドレイン間距離が10 µmのとき1220 Vという高いOFF状態での絶縁破壊電圧を示した。 |
| （英） | Al0.19Ga0.81N-channel metal-insulator-semiconductor (MIS) HFETs employing a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively regrown n+-GaN contact layer were fabricated. The ohmic contacts were formed via the self-alignment selective-area growth (SAG) process consisting of the local-area recess etching and subsequent refilling process with a highly-Si-doped n+-GaN layer by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The contact resistance is drastically reduced from 10.5 Ωmm to 2.5 Ωmm by using the self-alignment SAG contacts. In addition, the fabricated MIS-HFETs exhibited good pinch-off characteristics with highly improved on-state performance. That is, the device with a gate length of 1.5 μm and a drain-to-source length of 9.5 μm exhibited a high drain current density of over 300 mAmm-1 with a drain-to-source resistance of approximately 25 Ω mm. Furthermore, the fabricated devices also show a high off-state breakdown voltage of 1220 V at a gate-to-drain length of 10 μm. | |
| キーワード | （和） | Ⅲ族窒化物 / AlGaNチャネル / AlGaInN / HFET / 高絶縁破壊電圧 / / / |
| （英） | Group-III nitrides / AlGaN-channel / AlGaInN / HFET / High breakdown voltage / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 254, ED2020-7, pp. 25-28, 2020年11月. | |
| 資料番号 | ED2020-7 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-breakdown-voltage AlGaN channel HFETs with selective-area regrowth ohmic contacts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ⅲ族窒化物 / Group-III nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaNチャネル / AlGaN-channel |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | 高絶縁破壊電圧 / High breakdown voltage |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 暁喜 / Akiyoshi Inoue / イノウエ アキヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 紘希 / Hiroki Harada / |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 瑞樹 / Mizuki Yamanaka / |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 13:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2020-7, CPM2020-28, LQE2020-58 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]